人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
6期
1700-1704
,共5页
张仁刚%卓雯%刘继琼%王红军%高恒
張仁剛%卓雯%劉繼瓊%王紅軍%高恆
장인강%탁문%류계경%왕홍군%고항
ZnS薄膜%溅射%硫化
ZnS薄膜%濺射%硫化
ZnS박막%천사%류화
采用射频反应磁控溅射沉积了ZnO薄膜,然后在硫蒸气中于500 ℃硫化得到ZnS薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱、俄歇电子能谱(AES)和多普勒展宽谱对薄膜进行了表征.ZnO硫化转变依赖于硫化时间.当硫化时间小于18 h时,ZnO只能部分转变为ZnS.只有当硫化时间等于或大于18h时,才能完全生成六方相ZnS薄膜,沿(0 0 10)晶面择优生长,硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化.所得ZnS薄膜光吸收边宽化、光透过率低,ZnS薄膜带隙为3.54～3.66 eV.
採用射頻反應磁控濺射沉積瞭ZnO薄膜,然後在硫蒸氣中于500 ℃硫化得到ZnS薄膜.用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、紫外-可見透射光譜、俄歇電子能譜(AES)和多普勒展寬譜對薄膜進行瞭錶徵.ZnO硫化轉變依賴于硫化時間.噹硫化時間小于18 h時,ZnO隻能部分轉變為ZnS.隻有噹硫化時間等于或大于18h時,纔能完全生成六方相ZnS薄膜,沿(0 0 10)晶麵擇優生長,硫化前後薄膜晶粒呎吋有顯著變化.所得ZnS薄膜光吸收邊寬化、光透過率低,ZnS薄膜帶隙為3.54～3.66 eV.
채용사빈반응자공천사침적료ZnO박막,연후재류증기중우500 ℃류화득도ZnS박막.용X사선연사의(XRD)、소묘전자현미경(SEM)、자외-가견투사광보、아헐전자능보(AES)화다보륵전관보대박막진행료표정.ZnO류화전변의뢰우류화시간.당류화시간소우18 h시,ZnO지능부분전변위ZnS.지유당류화시간등우혹대우18h시,재능완전생성륙방상ZnS박막,연(0 0 10)정면택우생장,류화전후박막정립척촌유현저변화.소득ZnS박막광흡수변관화、광투과솔저,ZnS박막대극위3.54～3.66 eV.
