人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
6期
1624-1628
,共5页
吴春雷%郑友进%朱瑞华%王丹%付斯年%黄海亮
吳春雷%鄭友進%硃瑞華%王丹%付斯年%黃海亮
오춘뢰%정우진%주서화%왕단%부사년%황해량
直流热阴极PCVD%氮掺杂%Ar浓度%纳米金刚石膜%电阻率
直流熱陰極PCVD%氮摻雜%Ar濃度%納米金剛石膜%電阻率
직류열음겁PCVD%담참잡%Ar농도%납미금강석막%전조솔
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(DC-PCVD)方法,以三聚氰胺(C3H6N6)的甲醇(CH3OH)饱和溶液为掺杂源,通过改变反应气氛中的Ar浓度,在P型Si(111)基片上沉积了氮掺杂纳米金刚石膜.采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪、霍尔测试系统等分析了不同Ar浓度对氮掺杂金刚石膜生长特性的影响.结果表明:随着Ar浓度的增加,膜的晶粒尺寸逐渐减小,表面变得光滑平整；由拉曼G峰漂移引起的压应力先减小后增大；膜的导电性能变好.且由于C3H6N6的引入,使得在较低的Ar浓度下(H2/Ar流量比为100/100时),即可制得晶粒尺寸在30 ～ 50 nm的高质量的金刚石膜样品,远低于H2/Ar体系的Ar浓度为90％的阈值.
採用直流熱陰極等離子體化學氣相沉積(DC-PCVD)方法,以三聚氰胺(C3H6N6)的甲醇(CH3OH)飽和溶液為摻雜源,通過改變反應氣氛中的Ar濃度,在P型Si(111)基片上沉積瞭氮摻雜納米金剛石膜.採用掃描電子顯微鏡、拉曼光譜儀、X射線衍射儀、霍爾測試繫統等分析瞭不同Ar濃度對氮摻雜金剛石膜生長特性的影響.結果錶明:隨著Ar濃度的增加,膜的晶粒呎吋逐漸減小,錶麵變得光滑平整；由拉曼G峰漂移引起的壓應力先減小後增大；膜的導電性能變好.且由于C3H6N6的引入,使得在較低的Ar濃度下(H2/Ar流量比為100/100時),即可製得晶粒呎吋在30 ～ 50 nm的高質量的金剛石膜樣品,遠低于H2/Ar體繫的Ar濃度為90％的閾值.
채용직류열음겁등리자체화학기상침적(DC-PCVD)방법,이삼취청알(C3H6N6)적갑순(CH3OH)포화용액위참잡원,통과개변반응기분중적Ar농도,재P형Si(111)기편상침적료담참잡납미금강석막.채용소묘전자현미경、랍만광보의、X사선연사의、곽이측시계통등분석료불동Ar농도대담참잡금강석막생장특성적영향.결과표명:수착Ar농도적증가,막적정립척촌축점감소,표면변득광활평정；유랍만G봉표이인기적압응력선감소후증대；막적도전성능변호.차유우C3H6N6적인입,사득재교저적Ar농도하(H2/Ar류량비위100/100시),즉가제득정립척촌재30 ～ 50 nm적고질량적금강석막양품,원저우H2/Ar체계적Ar농도위90％적역치.
