人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
6期
1494-1497
,共4页
孙小虎%雷青松%曾祥斌%薛俊明%鞠洪超%陈阳洋
孫小虎%雷青鬆%曾祥斌%薛俊明%鞠洪超%陳暘洋
손소호%뢰청송%증상빈%설준명%국홍초%진양양
MOCVD%绒面ZnO薄膜%衬底温度%太阳电池
MOCVD%絨麵ZnO薄膜%襯底溫度%太暘電池
MOCVD%융면ZnO박막%츤저온도%태양전지
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,制备本征ZnO薄膜,并研究薄膜的结构、形貌及光电等性能.结果表明:衬底温度对ZnO薄膜的微观结构、电学、光学及表面形貌等有显著影响.在衬底温度为180℃时获得电阻率为2.17×10-2Ω·cm.平均透过率为85％的低电阻、高透过率、结晶质量高、表面呈绒面结构的本征ZnO薄膜.对本征ZnO薄膜进一步掺杂和结构优化有望用于硅薄膜太阳能电池的前电极.
利用金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)生長技術,製備本徵ZnO薄膜,併研究薄膜的結構、形貌及光電等性能.結果錶明:襯底溫度對ZnO薄膜的微觀結構、電學、光學及錶麵形貌等有顯著影響.在襯底溫度為180℃時穫得電阻率為2.17×10-2Ω·cm.平均透過率為85％的低電阻、高透過率、結晶質量高、錶麵呈絨麵結構的本徵ZnO薄膜.對本徵ZnO薄膜進一步摻雜和結構優化有望用于硅薄膜太暘能電池的前電極.
이용금속유궤물화학기상침적(MOCVD)생장기술,제비본정ZnO박막,병연구박막적결구、형모급광전등성능.결과표명:츤저온도대ZnO박막적미관결구、전학、광학급표면형모등유현저영향.재츤저온도위180℃시획득전조솔위2.17×10-2Ω·cm.평균투과솔위85％적저전조、고투과솔、결정질량고、표면정융면결구적본정ZnO박막.대본정ZnO박막진일보참잡화결구우화유망용우규박막태양능전지적전전겁.
