人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
6期
1549-1553,1560
,共6页
刘桂林%朱华新%郭颖%严慧敏%李果华
劉桂林%硃華新%郭穎%嚴慧敏%李果華
류계림%주화신%곽영%엄혜민%리과화
ITO电极%光刻%化学腐蚀%光学相干断层扫描
ITO電極%光刻%化學腐蝕%光學相榦斷層掃描
ITO전겁%광각%화학부식%광학상간단층소묘
使用光刻的方法进行ITO电极的制作,可制得精细的电极结构,本文重点阐述了使用光刻制备ITO电极的方法,包括表面清洗、曝光参量、显影条件、腐蚀工艺等,其中较为理想的ITO光刻工艺为:50 s曝光时间、30 s显影时间、20s化学腐蚀时间.并用对腐蚀工艺条件进行了理论分析,并使用光学相干断层扫描(OCT)技术对制备的电极进行了测量.
使用光刻的方法進行ITO電極的製作,可製得精細的電極結構,本文重點闡述瞭使用光刻製備ITO電極的方法,包括錶麵清洗、曝光參量、顯影條件、腐蝕工藝等,其中較為理想的ITO光刻工藝為:50 s曝光時間、30 s顯影時間、20s化學腐蝕時間.併用對腐蝕工藝條件進行瞭理論分析,併使用光學相榦斷層掃描(OCT)技術對製備的電極進行瞭測量.
사용광각적방법진행ITO전겁적제작,가제득정세적전겁결구,본문중점천술료사용광각제비ITO전겁적방법,포괄표면청세、폭광삼량、현영조건、부식공예등,기중교위이상적ITO광각공예위:50 s폭광시간、30 s현영시간、20s화학부식시간.병용대부식공예조건진행료이론분석,병사용광학상간단층소묘(OCT)기술대제비적전겁진행료측량.
