人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
6期
1524-1527
,共4页
梁李敏%解新建%郝秋艳%田园%刘彩池
樑李敏%解新建%郝鞦豔%田園%劉綵池
량리민%해신건%학추염%전완%류채지
GaN%辐照缺陷%黄光带%电子浓度
GaN%輻照缺陷%黃光帶%電子濃度
GaN%복조결함%황광대%전자농도
本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理.用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化.实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化.在200～600℃退火范围内,黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化是由于辐照Ga空位与O施主杂质的结合和断裂引起的.800℃退火后黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化与电子辐照引入的N空位有关.
本文對10 MeV電子輻照的GaN進行瞭不同溫度的熱退火處理.用光緻髮光譜和霍爾測量瞭樣品的光電性能隨退火溫度的變化.實驗結果錶明:黃光帶彊度、電子濃度和電子遷移率隨退火溫度呈非線性變化.在200～600℃退火範圍內,黃光帶、電子濃度和電子遷移率的變化是由于輻照Ga空位與O施主雜質的結閤和斷裂引起的.800℃退火後黃光帶、電子濃度和電子遷移率的變化與電子輻照引入的N空位有關.
본문대10 MeV전자복조적GaN진행료불동온도적열퇴화처리.용광치발광보화곽이측량료양품적광전성능수퇴화온도적변화.실험결과표명:황광대강도、전자농도화전자천이솔수퇴화온도정비선성변화.재200～600℃퇴화범위내,황광대、전자농도화전자천이솔적변화시유우복조Ga공위여O시주잡질적결합화단렬인기적.800℃퇴화후황광대、전자농도화전자천이솔적변화여전자복조인입적N공위유관.
