人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
6期
1514-1518
,共5页
程碧胜%雷青松%徐静平%薛俊明
程碧勝%雷青鬆%徐靜平%薛俊明
정벽성%뢰청송%서정평%설준명
非晶硅锗%氢稀释率%衬底温度%太阳能电池
非晶硅鍺%氫稀釋率%襯底溫度%太暘能電池
비정규타%경희석솔%츤저온도%태양능전지
利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响.通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜.在此基础上制备出效率为6.65％的非晶硅锗(a-SiGe∶H)单结太阳能电池.
利用射頻等離子體增彊化學氣相沉積工藝(RF-PECVD)製備非晶硅鍺薄膜,研究氫稀釋率和襯底溫度對薄膜光電性能的影響.通過二者的優化製備齣光學帶隙1.5 eV、光敏性6×104的高質量非晶硅鍺薄膜.在此基礎上製備齣效率為6.65％的非晶硅鍺(a-SiGe∶H)單結太暘能電池.
이용사빈등리자체증강화학기상침적공예(RF-PECVD)제비비정규타박막,연구경희석솔화츤저온도대박막광전성능적영향.통과이자적우화제비출광학대극1.5 eV、광민성6×104적고질량비정규타박막.재차기출상제비출효솔위6.65％적비정규타(a-SiGe∶H)단결태양능전지.
