哈尔滨理工大学学报
哈爾濱理工大學學報
합이빈리공대학학보
JOURNAL OF HARBIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
6期
57-60
,共4页
王长昊%王东兴%王晓林%庞超%赵洪
王長昊%王東興%王曉林%龐超%趙洪
왕장호%왕동흥%왕효림%방초%조홍
紫外探测%肖特基二极管%ZnO薄膜%I-V特性
紫外探測%肖特基二極管%ZnO薄膜%I-V特性
자외탐측%초특기이겁관%ZnO박막%I-V특성
以Si(111)为衬底,采用射频磁控溅射与高温退火工艺制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜对ZnO薄膜进行表征及结构分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向,样品表面光洁、平整.在此ZnO薄膜工艺条件下,在石英玻璃衬底上成功制备了A1/ZnO/Ag肖特基二极管紫外探测器.对该紫外探测器的暗电流和365 nm波长光照下的光电流进行了测试.室温下结果表明:Ag和ZnO已形成肖特基接触,根据I-V、C-V测试得到的有效势垒高度分别为0.60 eV和0.53 eV,理想因子为12.6,理论计算得到的空间电荷密度为3.1×1016cm-3.无光照3V偏压时,暗电流为24.19 mA,当用λ=365 nm的光照射Ag/ZnO肖特基结,在3V偏压时,先生电流为3.28 mA,表明A1/ZnO/Ag紫外探测器有明显的光响应特性.
以Si(111)為襯底,採用射頻磁控濺射與高溫退火工藝製備ZnO薄膜.利用X射線衍射、掃描電子顯微鏡對ZnO薄膜進行錶徵及結構分析.結果錶明,ZnO薄膜具有高度的C軸擇優取嚮,樣品錶麵光潔、平整.在此ZnO薄膜工藝條件下,在石英玻璃襯底上成功製備瞭A1/ZnO/Ag肖特基二極管紫外探測器.對該紫外探測器的暗電流和365 nm波長光照下的光電流進行瞭測試.室溫下結果錶明:Ag和ZnO已形成肖特基接觸,根據I-V、C-V測試得到的有效勢壘高度分彆為0.60 eV和0.53 eV,理想因子為12.6,理論計算得到的空間電荷密度為3.1×1016cm-3.無光照3V偏壓時,暗電流為24.19 mA,噹用λ=365 nm的光照射Ag/ZnO肖特基結,在3V偏壓時,先生電流為3.28 mA,錶明A1/ZnO/Ag紫外探測器有明顯的光響應特性.
이Si(111)위츤저,채용사빈자공천사여고온퇴화공예제비ZnO박막.이용X사선연사、소묘전자현미경대ZnO박막진행표정급결구분석.결과표명,ZnO박막구유고도적C축택우취향,양품표면광길、평정.재차ZnO박막공예조건하,재석영파리츤저상성공제비료A1/ZnO/Ag초특기이겁관자외탐측기.대해자외탐측기적암전류화365 nm파장광조하적광전류진행료측시.실온하결과표명:Ag화ZnO이형성초특기접촉,근거I-V、C-V측시득도적유효세루고도분별위0.60 eV화0.53 eV,이상인자위12.6,이론계산득도적공간전하밀도위3.1×1016cm-3.무광조3V편압시,암전류위24.19 mA,당용λ=365 nm적광조사Ag/ZnO초특기결,재3V편압시,선생전류위3.28 mA,표명A1/ZnO/Ag자외탐측기유명현적광향응특성.
