电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2012年
6期
764-766
,共3页
静态随机存储器%泄漏%功耗%待机%灵敏放大器
靜態隨機存儲器%洩漏%功耗%待機%靈敏放大器
정태수궤존저기%설루%공모%대궤%령민방대기
随着CMOS工艺发展,高性能SoC的泄漏功耗占整体能耗的比例越来越大,内嵌存储器的泄漏是整体泄漏的主要来源,有两方面原因:(1)芯片内嵌的静态随机存储器SRAM容量越来越大;(2)每次访存操作时SRAM仅小部分阵列工作,大部分存储阵列处于非工作状态.总结SRAM低泄漏的电路设计技术,并总结工艺发展对于低泄漏设计技术的挑战.
隨著CMOS工藝髮展,高性能SoC的洩漏功耗佔整體能耗的比例越來越大,內嵌存儲器的洩漏是整體洩漏的主要來源,有兩方麵原因:(1)芯片內嵌的靜態隨機存儲器SRAM容量越來越大;(2)每次訪存操作時SRAM僅小部分陣列工作,大部分存儲陣列處于非工作狀態.總結SRAM低洩漏的電路設計技術,併總結工藝髮展對于低洩漏設計技術的挑戰.
수착CMOS공예발전,고성능SoC적설루공모점정체능모적비례월래월대,내감존저기적설루시정체설루적주요래원,유량방면원인:(1)심편내감적정태수궤존저기SRAM용량월래월대;(2)매차방존조작시SRAM부소부분진렬공작,대부분존저진렬처우비공작상태.총결SRAM저설루적전로설계기술,병총결공예발전대우저설루설계기술적도전.
