发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
10期
1149-1152
,共4页
信恩龙%李喜峰%陈龙龙%石继锋%李春亚%张建华
信恩龍%李喜峰%陳龍龍%石繼鋒%李春亞%張建華
신은룡%리희봉%진룡룡%석계봉%리춘아%장건화
非晶铟镓锌氧薄膜%薄膜晶体管%场效应迁移率
非晶銦鎵鋅氧薄膜%薄膜晶體管%場效應遷移率
비정인가자양박막%박막정체관%장효응천이솔
利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率.结果表明:室温制备的IGZO薄膜为非晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于80％.将室温制备的IGZO薄膜作为有源层,在低温(＜200℃)条件下成功地制备了铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT),获得的a-IGZO-TFT器件的场效应迁移率大于6.0cm2·V-1·s-1,开关比约为107,阈值电压为1.2V,亚阈值摆蝠(S)约为0.9 V/dec,偏压应力测试a-IGZO TFT阈值电压随时间向右漂移.
利用射頻磁控濺射技術室溫製備瞭銦鎵鋅氧(IGZO)薄膜,採用X射線衍射(XRD)錶徵薄膜的晶體結構,原子力顯微鏡(AFM)觀察其錶麵形貌,分光光度計測量其透光率.結果錶明:室溫製備的IGZO薄膜為非晶態且薄膜錶麵均勻平整,可見光透射率大于80％.將室溫製備的IGZO薄膜作為有源層,在低溫(＜200℃)條件下成功地製備瞭銦鎵鋅氧薄膜晶體管(a-IGZO TFT),穫得的a-IGZO-TFT器件的場效應遷移率大于6.0cm2·V-1·s-1,開關比約為107,閾值電壓為1.2V,亞閾值襬蝠(S)約為0.9 V/dec,偏壓應力測試a-IGZO TFT閾值電壓隨時間嚮右漂移.
이용사빈자공천사기술실온제비료인가자양(IGZO)박막,채용X사선연사(XRD)표정박막적정체결구,원자력현미경(AFM)관찰기표면형모,분광광도계측량기투광솔.결과표명:실온제비적IGZO박막위비정태차박막표면균균평정,가견광투사솔대우80％.장실온제비적IGZO박막작위유원층,재저온(＜200℃)조건하성공지제비료인가자양박막정체관(a-IGZO TFT),획득적a-IGZO-TFT기건적장효응천이솔대우6.0cm2·V-1·s-1,개관비약위107,역치전압위1.2V,아역치파복(S)약위0.9 V/dec,편압응력측시a-IGZO TFT역치전압수시간향우표이.
