发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
10期
1132-1137
,共6页
吴国庆%郭伟玲%朱彦旭%刘建朋
吳國慶%郭偉玲%硃彥旭%劉建朋
오국경%곽위령%주언욱%류건붕
LED%静电%可靠性
LED%靜電%可靠性
LED%정전%가고성
对GaN基蓝光发光二极管(LED)分别施加-400,-800,-1 200,-1 500V的反向人体模式静电打击,每次静电打击后,测量LED样品电学参数和光学参数的变化,从理论上分析了静电对LED可靠性的影响.实验发现:对GaN基蓝光LED进行人体模式下的静电打击后,其Ⅰ-Ⅴ特性曲线发生变形,光通量减小,老化时性能衰减的速率加快,这是由于受静电打击后在LED芯片内部产生了二次缺陷和熔融通道.对LED在不同温度下进行了Ⅰ-Ⅴ特性曲线的测量.实验结论认为未受静电打击的LED中浅能级离化占主导地位,受静电打击的LED中深能级离化占主导地位.静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的LED性能退化.
對GaN基藍光髮光二極管(LED)分彆施加-400,-800,-1 200,-1 500V的反嚮人體模式靜電打擊,每次靜電打擊後,測量LED樣品電學參數和光學參數的變化,從理論上分析瞭靜電對LED可靠性的影響.實驗髮現:對GaN基藍光LED進行人體模式下的靜電打擊後,其Ⅰ-Ⅴ特性麯線髮生變形,光通量減小,老化時性能衰減的速率加快,這是由于受靜電打擊後在LED芯片內部產生瞭二次缺陷和鎔融通道.對LED在不同溫度下進行瞭Ⅰ-Ⅴ特性麯線的測量.實驗結論認為未受靜電打擊的LED中淺能級離化佔主導地位,受靜電打擊的LED中深能級離化佔主導地位.靜電引起的失效機理可以概述為二次缺陷和鎔融通道的產生、深淺能級載流子的運動和輻射複閤、非輻射複閤之間的轉變等因素引起的LED性能退化.
대GaN기람광발광이겁관(LED)분별시가-400,-800,-1 200,-1 500V적반향인체모식정전타격,매차정전타격후,측량LED양품전학삼수화광학삼수적변화,종이론상분석료정전대LED가고성적영향.실험발현:대GaN기람광LED진행인체모식하적정전타격후,기Ⅰ-Ⅴ특성곡선발생변형,광통량감소,노화시성능쇠감적속솔가쾌,저시유우수정전타격후재LED심편내부산생료이차결함화용융통도.대LED재불동온도하진행료Ⅰ-Ⅴ특성곡선적측량.실험결론인위미수정전타격적LED중천능급리화점주도지위,수정전타격적LED중심능급리화점주도지위.정전인기적실효궤리가이개술위이차결함화용융통도적산생、심천능급재류자적운동화복사복합、비복사복합지간적전변등인소인기적LED성능퇴화.
