发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
10期
1127-1131
,共5页
顾文%石继锋%李喜峰%张建华
顧文%石繼鋒%李喜峰%張建華
고문%석계봉%리희봉%장건화
LED%界面插入层%GZO电极%欧姆接触
LED%界麵插入層%GZO電極%歐姆接觸
LED%계면삽입층%GZO전겁%구모접촉
采用磁控溅射的方法在p-GaN上制备了GZO透明导电薄膜,通过在p-GaN和GZO界面之间插入AgOx薄层来改善LED器件的接触性能.研究结果表明:氮气退火后,采用界面插入层的AgO/GZO薄膜电阻率为5.8×10-4Ω·cm,在可见光的透过率超过80％.AgOx界面插入层有效地降低了GZO与p-GaN之间的接触势垒,表现出良好的欧姆接触特性,同时使LED器件的光电性能获得了显著的提高.在50 mA的注入电流下,相比于常规的GZO电极LED器件,AgOx/GZO电极LED器件的正向电压由9.68 V降至6.92 V,而发光强度提高了13.5％.
採用磁控濺射的方法在p-GaN上製備瞭GZO透明導電薄膜,通過在p-GaN和GZO界麵之間插入AgOx薄層來改善LED器件的接觸性能.研究結果錶明:氮氣退火後,採用界麵插入層的AgO/GZO薄膜電阻率為5.8×10-4Ω·cm,在可見光的透過率超過80％.AgOx界麵插入層有效地降低瞭GZO與p-GaN之間的接觸勢壘,錶現齣良好的歐姆接觸特性,同時使LED器件的光電性能穫得瞭顯著的提高.在50 mA的註入電流下,相比于常規的GZO電極LED器件,AgOx/GZO電極LED器件的正嚮電壓由9.68 V降至6.92 V,而髮光彊度提高瞭13.5％.
채용자공천사적방법재p-GaN상제비료GZO투명도전박막,통과재p-GaN화GZO계면지간삽입AgOx박층래개선LED기건적접촉성능.연구결과표명:담기퇴화후,채용계면삽입층적AgO/GZO박막전조솔위5.8×10-4Ω·cm,재가견광적투과솔초과80％.AgOx계면삽입층유효지강저료GZO여p-GaN지간적접촉세루,표현출량호적구모접촉특성,동시사LED기건적광전성능획득료현저적제고.재50 mA적주입전류하,상비우상규적GZO전겁LED기건,AgOx/GZO전겁LED기건적정향전압유9.68 V강지6.92 V,이발광강도제고료13.5％.
