GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响
GaN완충층대직류반응자공천사AlN박막적영향
Effect of GaN Buffer Layers on Deposition of AIN Films by DC Reactive Magnetron Sputtering
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2012年 10期 1089-1094 ,共6页

    王新建%宋航%黎大兵%蒋红%李志明%缪国庆%陈一仁%孙晓娟

    왕신건%송항%려대병%장홍%리지명%무국경%진일인%손효연

    AlN%GaN缓冲层%晶体结构%晶粒尺寸 AlN%GaN緩遲層%晶體結構%晶粒呎吋
    AlN%GaN완충층%정체결구%정립척촌
    AlN%GaN buffer layer%crystal structure%grain size
    通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜,研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响.利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌.XRD研究结果表明,低工作压强、短靶距和适当的氮气偏压有利于(002)择优取向的AlN薄膜沉积.随着沉积时间的增加,沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽急剧减小,而沉积在1-μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的衍射峰的半高宽几乎不变.SEM测试结果表明:在沉积的初期,沉积在1μm厚的GaN薄膜上的AlN薄膜的(002)面的晶粒大小分布比沉积在50 nm厚的GaN缓冲层上的AlN薄膜的均匀,而随着沉积时间的增加,它们的晶粒大小分布几乎趋向一致.
    통과직류자공반응천사제비료담화려(AlN)박막,연구료침적조건여담화가(GaN)완충층대박막질량적영향.이용X-사선연사의(XRD)화소묘전경(SEM)표정료AlN박막적정체결구화표면형모.XRD연구결과표명,저공작압강、단파거화괄당적담기편압유리우(002)택우취향적AlN박막침적.수착침적시간적증가,침적재50 nm후적GaN완충층상적AlN박막적(002)면적연사봉적반고관급극감소,이침적재1-μm후적GaN박막상적AlN박막적(002)면적연사봉적반고관궤호불변.SEM측시결과표명:재침적적초기,침적재1μm후적GaN박막상적AlN박막적(002)면적정립대소분포비침적재50 nm후적GaN완충층상적AlN박막적균균,이수착침적시간적증가,타문적정립대소분포궤호추향일치.
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