电子技术应用
電子技術應用
전자기술응용
APPLICATION OF ELECTRONIC TECHNIQUE
2012年
11期
44-47
,共4页
密勒补偿%限流保护%低功耗%高阶补偿
密勒補償%限流保護%低功耗%高階補償
밀륵보상%한류보호%저공모%고계보상
提出了一种1.8V、70 mA片上集成的低功耗无电容型LDO (Low Dropout)电路.电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性；带隙基准源(BGR)采用了线性化VBE技术进行高阶补偿,可以获得温度稳定性更好的BGR,降低了BGR对线性调整率的影响.该设计采用HHNEC 0.13 μm CMOS工艺(其中VTHN≈0.78 V、VTHp≈-0.9 V),整个芯片面积为0.33 mm×O.34 mm.测试结果显示:在2.5 V～5.5 V电源供电下,LDO输出的线性调整率小于2.14 mV/V,负载调整率小于1.56 mV/mA；在正常工作模式下,整个LDO消耗56 μA静态电流(其中测试用的放大器消耗电流约18 μA).
提齣瞭一種1.8V、70 mA片上集成的低功耗無電容型LDO (Low Dropout)電路.電路中採用瞭一級增益自舉運放作為誤差放大器,通過消除零點的密勒補償技術提高瞭環路穩定性；帶隙基準源(BGR)採用瞭線性化VBE技術進行高階補償,可以穫得溫度穩定性更好的BGR,降低瞭BGR對線性調整率的影響.該設計採用HHNEC 0.13 μm CMOS工藝(其中VTHN≈0.78 V、VTHp≈-0.9 V),整箇芯片麵積為0.33 mm×O.34 mm.測試結果顯示:在2.5 V～5.5 V電源供電下,LDO輸齣的線性調整率小于2.14 mV/V,負載調整率小于1.56 mV/mA；在正常工作模式下,整箇LDO消耗56 μA靜態電流(其中測試用的放大器消耗電流約18 μA).
제출료일충1.8V、70 mA편상집성적저공모무전용형LDO (Low Dropout)전로.전로중채용료일급증익자거운방작위오차방대기,통과소제영점적밀륵보상기술제고료배로은정성；대극기준원(BGR)채용료선성화VBE기술진행고계보상,가이획득온도은정성경호적BGR,강저료BGR대선성조정솔적영향.해설계채용HHNEC 0.13 μm CMOS공예(기중VTHN≈0.78 V、VTHp≈-0.9 V),정개심편면적위0.33 mm×O.34 mm.측시결과현시:재2.5 V～5.5 V전원공전하,LDO수출적선성조정솔소우2.14 mV/V,부재조정솔소우1.56 mV/mA；재정상공작모식하,정개LDO소모56 μA정태전류(기중측시용적방대기소모전류약18 μA).
