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2012年
33期
80-81
,共2页
杨焕银%郭红力%马拥军%裴重华
楊煥銀%郭紅力%馬擁軍%裴重華
양환은%곽홍력%마옹군%배중화
二氧化锡%纳米线%可控生长
二氧化錫%納米線%可控生長
이양화석%납미선%가공생장
采用化学气相沉积法在经硝酸镍水溶液处理过的硅衬底上,通过控制生长条件,制备出了二氧化锡的几种纳米结构。利用扫描电子显微镜（SEM）对样品的表面形貌进行了表征,并在此基础上对CVD过程中影响产物形貌的各因素进行了讨论分析,为实现SnO2纳米线的可控生长提供了工艺参数。
採用化學氣相沉積法在經硝痠鎳水溶液處理過的硅襯底上,通過控製生長條件,製備齣瞭二氧化錫的幾種納米結構。利用掃描電子顯微鏡（SEM）對樣品的錶麵形貌進行瞭錶徵,併在此基礎上對CVD過程中影響產物形貌的各因素進行瞭討論分析,為實現SnO2納米線的可控生長提供瞭工藝參數。
채용화학기상침적법재경초산얼수용액처리과적규츤저상,통과공제생장조건,제비출료이양화석적궤충납미결구。이용소묘전자현미경（SEM）대양품적표면형모진행료표정,병재차기출상대CVD과정중영향산물형모적각인소진행료토론분석,위실현SnO2납미선적가공생장제공료공예삼수。
