科技信息
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과기신식
SCIENTIFIC & TECHNICAL INFORMATION
2012年
33期
527-528,599
,共3页
ISE-TCAD%MDRAW%DESSIS%I-V特性
ISE-TCAD%MDRAW%DESSIS%I-V特性
ISE-TCAD%MDRAW%DESSIS%I-V특성
本文的研究目的是对半导体模拟软件ISE-TCAD进行详细介绍,旨在介绍软件的模拟方法,并利用仿真软件ISE-TCAD对其在室温下的正向伏安特性与反向伏安特性进行了模拟仿真,并取得了有价值的数据.从模拟图的结果可知室温(303K)且偏压较低时,电流随着电压呈指数关系增长,W/SiC肖特基势垒二极管的开启电压约为0.2V;偏压较高时,电流增加缓慢,串联电阻效应明显.模拟值表明反向电流数值比正向数值小几个数量级.
本文的研究目的是對半導體模擬軟件ISE-TCAD進行詳細介紹,旨在介紹軟件的模擬方法,併利用倣真軟件ISE-TCAD對其在室溫下的正嚮伏安特性與反嚮伏安特性進行瞭模擬倣真,併取得瞭有價值的數據.從模擬圖的結果可知室溫(303K)且偏壓較低時,電流隨著電壓呈指數關繫增長,W/SiC肖特基勢壘二極管的開啟電壓約為0.2V;偏壓較高時,電流增加緩慢,串聯電阻效應明顯.模擬值錶明反嚮電流數值比正嚮數值小幾箇數量級.
본문적연구목적시대반도체모의연건ISE-TCAD진행상세개소,지재개소연건적모의방법,병이용방진연건ISE-TCAD대기재실온하적정향복안특성여반향복안특성진행료모의방진,병취득료유개치적수거.종모의도적결과가지실온(303K)차편압교저시,전류수착전압정지수관계증장,W/SiC초특기세루이겁관적개계전압약위0.2V;편압교고시,전류증가완만,천련전조효응명현.모의치표명반향전류수치비정향수치소궤개수량급.
