黑龙江科技信息
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흑룡강과기신식
HEILONGJIANG SCIENCE AND TECHNOLOGY INFORMATION
2012年
33期
8-9
,共2页
石圣涛%李中国%宋瑛林
石聖濤%李中國%宋瑛林
석골도%리중국%송영림
双4f相位成像技术%GaN%相位物体%光学非线性
雙4f相位成像技術%GaN%相位物體%光學非線性
쌍4f상위성상기술%GaN%상위물체%광학비선성
用双4f相位成像技术，对半导体GaN多晶在600nm，皮秒时城的三阶非线性光学性质进行了实验测量。根据相关理论，通过数值模拟确定了GaN在相关条件下的三阶非线性光学参数。实验测量得到的双光子吸收系数β=9．54×10^-11（m／W），三阶非线性折射率，n2=-1．33×10^-17（m^2／W），该结果表明GaN是一种性能优异的非线性光学材料。．
用雙4f相位成像技術，對半導體GaN多晶在600nm，皮秒時城的三階非線性光學性質進行瞭實驗測量。根據相關理論，通過數值模擬確定瞭GaN在相關條件下的三階非線性光學參數。實驗測量得到的雙光子吸收繫數β=9．54×10^-11（m／W），三階非線性摺射率，n2=-1．33×10^-17（m^2／W），該結果錶明GaN是一種性能優異的非線性光學材料。．
용쌍4f상위성상기술，대반도체GaN다정재600nm，피초시성적삼계비선성광학성질진행료실험측량。근거상관이론，통과수치모의학정료GaN재상관조건하적삼계비선성광학삼수。실험측량득도적쌍광자흡수계수β=9．54×10^-11（m／W），삼계비선성절사솔，n2=-1．33×10^-17（m^2／W），해결과표명GaN시일충성능우이적비선성광학재료。．
