光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2013年
4期
265-269
,共5页
范玉佩%曾祥华%顾长华%刘宝琴%王坚%张乾
範玉珮%曾祥華%顧長華%劉寶琴%王堅%張乾
범옥패%증상화%고장화%류보금%왕견%장건
氮化镓%发光二极管%极化效应%图形衬底%光提取效率
氮化鎵%髮光二極管%極化效應%圖形襯底%光提取效率
담화가%발광이겁관%겁화효응%도형츤저%광제취효솔
GaN%light emitting diode%polarization effect%patterned sapphire substrate (PSS)%light extraction efficiency
设计了方形和阶梯状两大类的图形化蓝宝石衬底(PSS),使用Crosslight公司的工艺软件CSuprem建立了三维的方形和阶梯状两类图形衬底GaN LED器件,然后使用APSYS软件模拟计算出它们的光电特性.并且对方形图形衬底的刻蚀深度进行了优化,通过对模拟结果的比较得到刻蚀深度与边长的比值为0.4时,这种方形图形衬底GaN LED的光提取效率最高,且比平面衬底提高了20.13％.对阶梯状图形衬底的阶梯层数进行了比较,发现随着阶梯层数的增加,光提取效率也随着增加,阶梯状层数为5时,光提取效率比平面衬底提高了30.03％.并对方形PSSLED进行了实验验证.
設計瞭方形和階梯狀兩大類的圖形化藍寶石襯底(PSS),使用Crosslight公司的工藝軟件CSuprem建立瞭三維的方形和階梯狀兩類圖形襯底GaN LED器件,然後使用APSYS軟件模擬計算齣它們的光電特性.併且對方形圖形襯底的刻蝕深度進行瞭優化,通過對模擬結果的比較得到刻蝕深度與邊長的比值為0.4時,這種方形圖形襯底GaN LED的光提取效率最高,且比平麵襯底提高瞭20.13％.對階梯狀圖形襯底的階梯層數進行瞭比較,髮現隨著階梯層數的增加,光提取效率也隨著增加,階梯狀層數為5時,光提取效率比平麵襯底提高瞭30.03％.併對方形PSSLED進行瞭實驗驗證.
설계료방형화계제상량대류적도형화람보석츤저(PSS),사용Crosslight공사적공예연건CSuprem건립료삼유적방형화계제상량류도형츤저GaN LED기건,연후사용APSYS연건모의계산출타문적광전특성.병차대방형도형츤저적각식심도진행료우화,통과대모의결과적비교득도각식심도여변장적비치위0.4시,저충방형도형츤저GaN LED적광제취효솔최고,차비평면츤저제고료20.13％.대계제상도형츤저적계제층수진행료비교,발현수착계제층수적증가,광제취효솔야수착증가,계제상층수위5시,광제취효솔비평면츤저제고료30.03％.병대방형PSSLED진행료실험험증.
