微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2013年
6期
18-19
,共2页
碳化硅%光电探测器%宽带隙%抗反射
碳化硅%光電探測器%寬帶隙%抗反射
탄화규%광전탐측기%관대극%항반사
SiC%EO detectors%Wide band gap%Improve absorption
采用宽带隙半导体材料SiC,进行紫外光电探测器的制备.基于机械性能和化学稳定性考虑,增透抗反膜的制备采用Si02+Al2O3工艺,同时对其表面钝化层和增透抗反膜工艺进行了研究讨论.
採用寬帶隙半導體材料SiC,進行紫外光電探測器的製備.基于機械性能和化學穩定性攷慮,增透抗反膜的製備採用Si02+Al2O3工藝,同時對其錶麵鈍化層和增透抗反膜工藝進行瞭研究討論.
채용관대극반도체재료SiC,진행자외광전탐측기적제비.기우궤계성능화화학은정성고필,증투항반막적제비채용Si02+Al2O3공예,동시대기표면둔화층화증투항반막공예진행료연구토론.
