低温与超导
低溫與超導
저온여초도
CRYOGENICS AND SUPERCONDUCTIVITY
2014年
1期
49-52,64
,共5页
吴燕平%张松%付尧%王旭%邓朝勇
吳燕平%張鬆%付堯%王旭%鄧朝勇
오연평%장송%부요%왕욱%산조용
MgB2超导薄膜%化学气相沉积%沉积时间
MgB2超導薄膜%化學氣相沉積%沉積時間
MgB2초도박막%화학기상침적%침적시간
MgB2 superconducting films%Chemistry vapor deposition%Deposition time
利用化学气相沉积法(CVD)在多晶Al2O3衬底上制备出了系列MgB2超导薄膜,研究了前驱硼膜沉积时间对MgB2薄膜超导特性的影响,通过XRD、SEM和R-T曲线对超导MgB2薄膜进行了表征.延长前驱硼膜的沉积时间,得到的硼膜结晶度越高,结构更致密.经退火后制备的MgB2薄膜表面富余的Mg可以改善晶粒间的连接,提升Tc值.该实验沉积l0min前驱硼膜得到的MgB2超导薄膜Tc值为34K,且超导转变宽度比较窄.延长前驱硼膜沉积时间到15min后,薄膜的Tc值降低,这是由于前驱硼膜较多,Mg和硼反应不充分所导致的.
利用化學氣相沉積法(CVD)在多晶Al2O3襯底上製備齣瞭繫列MgB2超導薄膜,研究瞭前驅硼膜沉積時間對MgB2薄膜超導特性的影響,通過XRD、SEM和R-T麯線對超導MgB2薄膜進行瞭錶徵.延長前驅硼膜的沉積時間,得到的硼膜結晶度越高,結構更緻密.經退火後製備的MgB2薄膜錶麵富餘的Mg可以改善晶粒間的連接,提升Tc值.該實驗沉積l0min前驅硼膜得到的MgB2超導薄膜Tc值為34K,且超導轉變寬度比較窄.延長前驅硼膜沉積時間到15min後,薄膜的Tc值降低,這是由于前驅硼膜較多,Mg和硼反應不充分所導緻的.
이용화학기상침적법(CVD)재다정Al2O3츤저상제비출료계렬MgB2초도박막,연구료전구붕막침적시간대MgB2박막초도특성적영향,통과XRD、SEM화R-T곡선대초도MgB2박막진행료표정.연장전구붕막적침적시간,득도적붕막결정도월고,결구경치밀.경퇴화후제비적MgB2박막표면부여적Mg가이개선정립간적련접,제승Tc치.해실험침적l0min전구붕막득도적MgB2초도박막Tc치위34K,차초도전변관도비교착.연장전구붕막침적시간도15min후,박막적Tc치강저,저시유우전구붕막교다,Mg화붕반응불충분소도치적.
