中国电机工程学报
中國電機工程學報
중국전궤공정학보
ZHONGGUO DIANJI GONGCHENG XUEBAO
2013年
3期
37-43,前插5
,共8页
孙凯%陆珏晶%吴红飞%邢岩%黄立培
孫凱%陸玨晶%吳紅飛%邢巖%黃立培
손개%륙각정%오홍비%형암%황립배
碳化硅MOSFET%变温度参数%PSpice建模%Buck变换器
碳化硅MOSFET%變溫度參數%PSpice建模%Buck變換器
탄화규MOSFET%변온도삼수%PSpice건모%Buck변환기
为在全温度范围内准确反映碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET的工作特性,提出一种基于Pspice仿真软件的SiC MOSFET变温度参数模型.该模型中引入温控电压源和温控电流源以补偿SiC MOSFET静态特性随温度的变化,同时着重考虑了SiC MOSFET的低温特性和驱动电路负压的影响.详细阐述建模原理,分析各个关键参数对SiC MOSFET静态特性及动态特性的影响,给出建模原理.搭建基于Buck变换器的SiC MOSFET测试实验样机,在不同电压点、电流点及温度点(-25～125℃)下进行实验测试,并将测试结果与基于变温度参数Pspice模型的仿真波形和损耗估算结果进行比较.比较结果高度吻合,功率损耗误差在10％以内,验证了提出的变温度参数模型的准确性和有效性,为实际应用中采用SiC MOSFET器件进行系统分析和效率评估提供了重要的依据.
為在全溫度範圍內準確反映碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET的工作特性,提齣一種基于Pspice倣真軟件的SiC MOSFET變溫度參數模型.該模型中引入溫控電壓源和溫控電流源以補償SiC MOSFET靜態特性隨溫度的變化,同時著重攷慮瞭SiC MOSFET的低溫特性和驅動電路負壓的影響.詳細闡述建模原理,分析各箇關鍵參數對SiC MOSFET靜態特性及動態特性的影響,給齣建模原理.搭建基于Buck變換器的SiC MOSFET測試實驗樣機,在不同電壓點、電流點及溫度點(-25～125℃)下進行實驗測試,併將測試結果與基于變溫度參數Pspice模型的倣真波形和損耗估算結果進行比較.比較結果高度吻閤,功率損耗誤差在10％以內,驗證瞭提齣的變溫度參數模型的準確性和有效性,為實際應用中採用SiC MOSFET器件進行繫統分析和效率評估提供瞭重要的依據.
위재전온도범위내준학반영탄화규(silicon carbide,SiC)MOSFET적공작특성,제출일충기우Pspice방진연건적SiC MOSFET변온도삼수모형.해모형중인입온공전압원화온공전류원이보상SiC MOSFET정태특성수온도적변화,동시착중고필료SiC MOSFET적저온특성화구동전로부압적영향.상세천술건모원리,분석각개관건삼수대SiC MOSFET정태특성급동태특성적영향,급출건모원리.탑건기우Buck변환기적SiC MOSFET측시실험양궤,재불동전압점、전류점급온도점(-25～125℃)하진행실험측시,병장측시결과여기우변온도삼수Pspice모형적방진파형화손모고산결과진행비교.비교결과고도문합,공솔손모오차재10％이내,험증료제출적변온도삼수모형적준학성화유효성,위실제응용중채용SiC MOSFET기건진행계통분석화효솔평고제공료중요적의거.
