现代技术陶瓷
現代技術陶瓷
현대기술도자
ADVANCED CERAMICS
2012年
2期
15-17
,共3页
唐斌%陈加旺%岑权进%陈加增
唐斌%陳加旺%岑權進%陳加增
당빈%진가왕%잠권진%진가증
纯Ag内电极%高性能%多层片式压敏电阻器%液相烧结
純Ag內電極%高性能%多層片式壓敏電阻器%液相燒結
순Ag내전겁%고성능%다층편식압민전조기%액상소결
pure silver inner electrode%high -performance%multilayer chip varistor%liquid phase sintering
通过采用独特的Zn—Bi—Sb—Si—Ti配方体系，并在此配方体系中加入稀土材料ErgO3，可实现瓷体材料在950℃以下烧结；同时通过采用850℃的银浆作为内电极，按常规的片式压敏生产工艺，可生产出纯Ag内电极高性能多层片式压敏电阻器。其压敏电压为39V，非线性系数为30以上。泄漏电流21a．A以下，做成0805尺寸的器件，其峰值电流（8／20μS）可达100A，能量耐量（10／1000μS）可达0．3J。
通過採用獨特的Zn—Bi—Sb—Si—Ti配方體繫，併在此配方體繫中加入稀土材料ErgO3，可實現瓷體材料在950℃以下燒結；同時通過採用850℃的銀漿作為內電極，按常規的片式壓敏生產工藝，可生產齣純Ag內電極高性能多層片式壓敏電阻器。其壓敏電壓為39V，非線性繫數為30以上。洩漏電流21a．A以下，做成0805呎吋的器件，其峰值電流（8／20μS）可達100A，能量耐量（10／1000μS）可達0．3J。
통과채용독특적Zn—Bi—Sb—Si—Ti배방체계，병재차배방체계중가입희토재료ErgO3，가실현자체재료재950℃이하소결；동시통과채용850℃적은장작위내전겁，안상규적편식압민생산공예，가생산출순Ag내전겁고성능다층편식압민전조기。기압민전압위39V，비선성계수위30이상。설루전류21a．A이하，주성0805척촌적기건，기봉치전류（8／20μS）가체100A，능량내량（10／1000μS）가체0．3J。
The ceramic Material, Which has a unique Zn - Bi - Si - Ti formula system, and rare earth material Er2O3 as additives can be sintered at 950℃ for the following. Muhilayer chip varistor of pure silver as inner electrode was obtained by using the silver paste of 850℃ as internal electrode and the conventional chip varistor process. Obtained products have following advantages：varistor voltage （39V）, nonlinear coefficent （ 〉 30） ,leakage current（ 〈 21xA）. the devices of 0805 size have a peak current（ 8/20μS, 〉 100A）, and a energy tolerance（10/1000μS, 〉0.3J）.
