质量与可靠性
質量與可靠性
질량여가고성
QUALITY AND RELIABILITY
2012年
3期
43-46
,共4页
SRAM%单粒子翻转%三维数值模拟%加固
SRAM%單粒子翻轉%三維數值模擬%加固
SRAM%단입자번전%삼유수치모의%가고
利用TCAD软件，构建了特征尺寸为0.18μm的三维器件模型，采用器件与电路联合仿真的方法，对重离子在静态随机存储器（SRAM）中引起的单粒子翻转（SEU）效应进行了模拟，分析了SRAM单位子翻转的机理。仿真了各种阻值的反馈电阻对SRAM抗SEU的效果，确定了SRAM单元抗SEU反馈电阻的阻值。仿真结果表明，搭建的仿真平台可为加固型SRAM电路的研制提供仿真平台和设计依据。
利用TCAD軟件，構建瞭特徵呎吋為0.18μm的三維器件模型，採用器件與電路聯閤倣真的方法，對重離子在靜態隨機存儲器（SRAM）中引起的單粒子翻轉（SEU）效應進行瞭模擬，分析瞭SRAM單位子翻轉的機理。倣真瞭各種阻值的反饋電阻對SRAM抗SEU的效果，確定瞭SRAM單元抗SEU反饋電阻的阻值。倣真結果錶明，搭建的倣真平檯可為加固型SRAM電路的研製提供倣真平檯和設計依據。
이용TCAD연건，구건료특정척촌위0.18μm적삼유기건모형，채용기건여전로연합방진적방법，대중리자재정태수궤존저기（SRAM）중인기적단입자번전（SEU）효응진행료모의，분석료SRAM단위자번전적궤리。방진료각충조치적반궤전조대SRAM항SEU적효과，학정료SRAM단원항SEU반궤전조적조치。방진결과표명，탑건적방진평태가위가고형SRAM전로적연제제공방진평태화설계의거。
