电子科技
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전자과기
IT AGE
2012年
8期
77-79
,共3页
展明浩%宋同晶%皇华%王文婧%陈博
展明浩%宋同晶%皇華%王文婧%陳博
전명호%송동정%황화%왕문청%진박
ICP刻蚀%Footing效应%Lag效应%侧壁光滑度%高深宽比
ICP刻蝕%Footing效應%Lag效應%側壁光滑度%高深寬比
ICP각식%Footing효응%Lag효응%측벽광활도%고심관비
ICP etching%Footing effect%Lag effect%sidewall roughness%high aspect ratio
介绍了电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术的基本概念。结合英国STS公司的STSmultiplexICPsystem刻蚀机，介绍了刻蚀机原理及刻蚀过程。对硅深槽刻蚀技术进行了分析，对其中Footing效应、Lag效应和侧壁光滑问题提出了优化方案，最后在实验的基础上得出了能够刻蚀出高质量硅深沟槽的刻蚀参数。
介紹瞭電感耦閤等離子體（ICP）刻蝕技術的基本概唸。結閤英國STS公司的STSmultiplexICPsystem刻蝕機，介紹瞭刻蝕機原理及刻蝕過程。對硅深槽刻蝕技術進行瞭分析，對其中Footing效應、Lag效應和側壁光滑問題提齣瞭優化方案，最後在實驗的基礎上得齣瞭能夠刻蝕齣高質量硅深溝槽的刻蝕參數。
개소료전감우합등리자체（ICP）각식기술적기본개념。결합영국STS공사적STSmultiplexICPsystem각식궤，개소료각식궤원리급각식과정。대규심조각식기술진행료분석，대기중Footing효응、Lag효응화측벽광활문제제출료우화방안，최후재실험적기출상득출료능구각식출고질량규심구조적각식삼수。
This paper introduces the basic concepts of the inductively coupled plasma （ICP） etching tech- nique. On the basis of the STS multiplex ICP system etching machine, it describes the principle of the etching ma- chine and the etching process. The silicon deep trench etching technology is analyzed. An optimization scheme is presented for such problems as footing effect, lag effect and sidewalls roughness. With lots of experiments, we have obtained the etching conditions for etching high aspect ratio silicon deep trench.
