硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2012年
13期
50-50,31
,共2页
带隙基准%两级放大器%零温度系数%cadence
帶隙基準%兩級放大器%零溫度繫數%cadence
대극기준%량급방대기%령온도계수%cadence
分析带隙基准电路的原理和结构，为实现零温度系数，可以使正温度系数电压源与负温度系数电压源相加得到，然后设计分析和基于cadence仿真两级放大器和带隙基准，最终都达到较好的结果。
分析帶隙基準電路的原理和結構，為實現零溫度繫數，可以使正溫度繫數電壓源與負溫度繫數電壓源相加得到，然後設計分析和基于cadence倣真兩級放大器和帶隙基準，最終都達到較好的結果。
분석대극기준전로적원리화결구，위실현령온도계수，가이사정온도계수전압원여부온도계수전압원상가득도，연후설계분석화기우cadence방진량급방대기화대극기준，최종도체도교호적결과。
