电工技术学报
電工技術學報
전공기술학보
TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY
2013年
5期
202-207
,共6页
任小永%David Reusch%季澍%穆明凯%Fred C Lee
任小永%David Reusch%季澍%穆明凱%Fred C Lee
임소영%David Reusch%계주%목명개%Fred C Lee
氮化镓%GaN%三电平%驱动方式
氮化鎵%GaN%三電平%驅動方式
담화가%GaN%삼전평%구동방식
作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,无论在民用或是军事领域都具有广阔的应用前景.随着GaN技术的进步,大直径硅(Si)基GaN外延技术逐步成熟并向商用化方向发展.2010年以来,多家国际著名半导体厂商相继推出GaN功率晶体管器件.与硅半导体功率器件一样,合理的驱动方式也是GaN功率晶体管优越性能得以体现的重要保障.本文将以GaN功率器件在同步整流Buck变换器中的应用为例,提出一种三电平的驱动方式,以充分发挥GaN功率晶体管器件的优越性.实验结果表明,本文提出的三电平驱动方式可以有效提高变换器的效率.
作為第三代半導體材料的典型代錶,寬禁帶半導體氮化鎵(GaN)材料具有許多硅材料所不具備的優異性能,是高頻、高壓、高溫和大功率應用的優良半導體材料,無論在民用或是軍事領域都具有廣闊的應用前景.隨著GaN技術的進步,大直徑硅(Si)基GaN外延技術逐步成熟併嚮商用化方嚮髮展.2010年以來,多傢國際著名半導體廠商相繼推齣GaN功率晶體管器件.與硅半導體功率器件一樣,閤理的驅動方式也是GaN功率晶體管優越性能得以體現的重要保障.本文將以GaN功率器件在同步整流Buck變換器中的應用為例,提齣一種三電平的驅動方式,以充分髮揮GaN功率晶體管器件的優越性.實驗結果錶明,本文提齣的三電平驅動方式可以有效提高變換器的效率.
작위제삼대반도체재료적전형대표,관금대반도체담화가(GaN)재료구유허다규재료소불구비적우이성능,시고빈、고압、고온화대공솔응용적우량반도체재료,무론재민용혹시군사영역도구유엄활적응용전경.수착GaN기술적진보,대직경규(Si)기GaN외연기술축보성숙병향상용화방향발전.2010년이래,다가국제저명반도체엄상상계추출GaN공솔정체관기건.여규반도체공솔기건일양,합리적구동방식야시GaN공솔정체관우월성능득이체현적중요보장.본문장이GaN공솔기건재동보정류Buck변환기중적응용위례,제출일충삼전평적구동방식,이충분발휘GaN공솔정체관기건적우월성.실험결과표명,본문제출적삼전평구동방식가이유효제고변환기적효솔.
