电子测量与仪器学报
電子測量與儀器學報
전자측량여의기학보
JOURNAL OF ELECTRONIC MEASUREMENT AND INSTRUMENT
2012年
12期
1074-1079
,共6页
李娴%蒋亚东%太惠玲%谢光忠%张波
李嫻%蔣亞東%太惠玲%謝光忠%張波
리한%장아동%태혜령%사광충%장파
酞菁铜%有机薄膜晶体管%气体传感器%H2S%NH3
酞菁銅%有機薄膜晶體管%氣體傳感器%H2S%NH3
태정동%유궤박막정체관%기체전감기%H2S%NH3
以n型高掺杂硅为衬底,二氧化硅(SiO2)作绝缘层,钛/金(Ti/Au)双层膜为源漏电极层,真空蒸发酞菁铜(CuPc)作敏感层,制备了沟道宽长比为4000/25的有机薄膜晶体管气体传感器(OTFTs),研究了CuPc-OTFT气体传感器的基本电学特性及其在常温下对有毒还原型气体(H2S和NH3)的敏感性能.结果表明,基于CuPc的OTFT器件具有良好的电学特性,阈值电压为-8V,载流子迁移率2.47×10-4 cm2/V·s,开关电流比5.基于CuPc薄膜的OTFT气体传感器对不同浓度的H2S和NH3均具有较好的响应,对SO2气体响应较小,对CH4和H2几乎不响应.通过CuPc薄膜的紫外-可见光光谱和OTFT器件的转移特性曲线对CuPc-OTFT气体传感器的敏感机理进行了分析.
以n型高摻雜硅為襯底,二氧化硅(SiO2)作絕緣層,鈦/金(Ti/Au)雙層膜為源漏電極層,真空蒸髮酞菁銅(CuPc)作敏感層,製備瞭溝道寬長比為4000/25的有機薄膜晶體管氣體傳感器(OTFTs),研究瞭CuPc-OTFT氣體傳感器的基本電學特性及其在常溫下對有毒還原型氣體(H2S和NH3)的敏感性能.結果錶明,基于CuPc的OTFT器件具有良好的電學特性,閾值電壓為-8V,載流子遷移率2.47×10-4 cm2/V·s,開關電流比5.基于CuPc薄膜的OTFT氣體傳感器對不同濃度的H2S和NH3均具有較好的響應,對SO2氣體響應較小,對CH4和H2幾乎不響應.通過CuPc薄膜的紫外-可見光光譜和OTFT器件的轉移特性麯線對CuPc-OTFT氣體傳感器的敏感機理進行瞭分析.
이n형고참잡규위츤저,이양화규(SiO2)작절연층,태/금(Ti/Au)쌍층막위원루전겁층,진공증발태정동(CuPc)작민감층,제비료구도관장비위4000/25적유궤박막정체관기체전감기(OTFTs),연구료CuPc-OTFT기체전감기적기본전학특성급기재상온하대유독환원형기체(H2S화NH3)적민감성능.결과표명,기우CuPc적OTFT기건구유량호적전학특성,역치전압위-8V,재류자천이솔2.47×10-4 cm2/V·s,개관전류비5.기우CuPc박막적OTFT기체전감기대불동농도적H2S화NH3균구유교호적향응,대SO2기체향응교소,대CH4화H2궤호불향응.통과CuPc박막적자외-가견광광보화OTFT기건적전이특성곡선대CuPc-OTFT기체전감기적민감궤리진행료분석.
