光通信研究
光通信研究
광통신연구
STUDY ON OPTICAL COMMUNICATIONS
2013年
4期
46-48,60
,共4页
极化电荷%LED性能%能带结构%电子空穴浓度
極化電荷%LED性能%能帶結構%電子空穴濃度
겁화전하%LED성능%능대결구%전자공혈농도
对氮化镓(InGaN/GaN)型MQW(多量子阱)结构的蓝宝石衬底LED(发光二极管)受自发和压电极化效应的影响进行了研究.为了分析LED的输出特性,利用MATLAB软件对传统水平结构的InGaN/GaN型MQW蓝光LED芯片进行了模拟.研究表明,LED各个界面极化电荷同比例增加能稍微改善LED的电学特性,但却显著降低了LED的光输出功率和内量子效率,这主要是由于界面电荷改变了能带结构,阻碍了空穴的扩散与漂移,降低了辐射复合系数.可以通过改变位错密度来降低极化电荷对LED的影响,改善LED的性能.
對氮化鎵(InGaN/GaN)型MQW(多量子阱)結構的藍寶石襯底LED(髮光二極管)受自髮和壓電極化效應的影響進行瞭研究.為瞭分析LED的輸齣特性,利用MATLAB軟件對傳統水平結構的InGaN/GaN型MQW藍光LED芯片進行瞭模擬.研究錶明,LED各箇界麵極化電荷同比例增加能稍微改善LED的電學特性,但卻顯著降低瞭LED的光輸齣功率和內量子效率,這主要是由于界麵電荷改變瞭能帶結構,阻礙瞭空穴的擴散與漂移,降低瞭輻射複閤繫數.可以通過改變位錯密度來降低極化電荷對LED的影響,改善LED的性能.
대담화가(InGaN/GaN)형MQW(다양자정)결구적람보석츤저LED(발광이겁관)수자발화압전겁화효응적영향진행료연구.위료분석LED적수출특성,이용MATLAB연건대전통수평결구적InGaN/GaN형MQW람광LED심편진행료모의.연구표명,LED각개계면겁화전하동비례증가능초미개선LED적전학특성,단각현저강저료LED적광수출공솔화내양자효솔,저주요시유우계면전하개변료능대결구,조애료공혈적확산여표이,강저료복사복합계수.가이통과개변위착밀도래강저겁화전하대LED적영향,개선LED적성능.
