真空
真空
진공
VACUUM
2013年
5期
9-13
,共5页
真空蒸发%热处理%CuInS2薄膜%导电类型%光学特性
真空蒸髮%熱處理%CuInS2薄膜%導電類型%光學特性
진공증발%열처리%CuInS2박막%도전류형%광학특성
vacuum evaporation%heat treatment%CuInS2 thin film%conductive type%optical properties
真空蒸发在载玻片上沉积CuInS2薄膜(Cu、In、S原子配比为1∶0.1∶1.2).摸索CuInS2薄膜发生导电类型转换最有效的热处理条件,研究不同热处理工艺对CuInS2薄膜的结构、表面形貌、化学成分比和光学性能的影响.实验给出:沉积的薄膜进行360℃热处理30 min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜;SEN分析显示薄膜表面呈颗粒状较平整致密性略差,导电类型为N型,薄膜的本征吸收限为1.46eV,直接光学带隙Eg=1.38 eV.对薄膜进行370℃热处理20 min同样可得到N型CuInS2但含有少量的CuS2成分,薄膜表面致密性变好但粗糙度增大,本征吸收限发生红移为1.42 eV,Eg=1.40 eV.370℃,30 min热处理后可得到P型CuInS2薄膜,Eg=1.37 eV.制备的三种CuInS2薄膜的光吸收系数都在104 cm-1数量级以上.CuInS2薄膜中In或Cu元素含量大小,对薄膜的导电类型的变化起着决定性的作用,而薄膜中S和In元素的变化直接取决于热处理的条件.
真空蒸髮在載玻片上沉積CuInS2薄膜(Cu、In、S原子配比為1∶0.1∶1.2).摸索CuInS2薄膜髮生導電類型轉換最有效的熱處理條件,研究不同熱處理工藝對CuInS2薄膜的結構、錶麵形貌、化學成分比和光學性能的影響.實驗給齣:沉積的薄膜進行360℃熱處理30 min後,得到黃銅礦結構的CuInS2薄膜;SEN分析顯示薄膜錶麵呈顆粒狀較平整緻密性略差,導電類型為N型,薄膜的本徵吸收限為1.46eV,直接光學帶隙Eg=1.38 eV.對薄膜進行370℃熱處理20 min同樣可得到N型CuInS2但含有少量的CuS2成分,薄膜錶麵緻密性變好但粗糙度增大,本徵吸收限髮生紅移為1.42 eV,Eg=1.40 eV.370℃,30 min熱處理後可得到P型CuInS2薄膜,Eg=1.37 eV.製備的三種CuInS2薄膜的光吸收繫數都在104 cm-1數量級以上.CuInS2薄膜中In或Cu元素含量大小,對薄膜的導電類型的變化起著決定性的作用,而薄膜中S和In元素的變化直接取決于熱處理的條件.
진공증발재재파편상침적CuInS2박막(Cu、In、S원자배비위1∶0.1∶1.2).모색CuInS2박막발생도전류형전환최유효적열처리조건,연구불동열처리공예대CuInS2박막적결구、표면형모、화학성분비화광학성능적영향.실험급출:침적적박막진행360℃열처리30 min후,득도황동광결구적CuInS2박막;SEN분석현시박막표면정과립상교평정치밀성략차,도전류형위N형,박막적본정흡수한위1.46eV,직접광학대극Eg=1.38 eV.대박막진행370℃열처리20 min동양가득도N형CuInS2단함유소량적CuS2성분,박막표면치밀성변호단조조도증대,본정흡수한발생홍이위1.42 eV,Eg=1.40 eV.370℃,30 min열처리후가득도P형CuInS2박막,Eg=1.37 eV.제비적삼충CuInS2박막적광흡수계수도재104 cm-1수량급이상.CuInS2박막중In혹Cu원소함량대소,대박막적도전류형적변화기착결정성적작용,이박막중S화In원소적변화직접취결우열처리적조건.
