电子制作
電子製作
전자제작
ELECTRONICS DIY
2014年
2期
007-007,003
,共2页
GaN基发光二极管%表面粗化%光提取效率
GaN基髮光二極管%錶麵粗化%光提取效率
GaN기발광이겁관%표면조화%광제취효솔
通过对GaN基发光二极管的表面进行粗化，可以改变出射光的方向，使那些满足全反射光改变方向后折射出来，从而提高了发光二极管的出光效率。实验结果表明，粗化芯片在20mA注入电流下，粗化芯片的光提取效率提高了23%，由于接触面积的增加，正向电压降低了0.11V。
通過對GaN基髮光二極管的錶麵進行粗化，可以改變齣射光的方嚮，使那些滿足全反射光改變方嚮後摺射齣來，從而提高瞭髮光二極管的齣光效率。實驗結果錶明，粗化芯片在20mA註入電流下，粗化芯片的光提取效率提高瞭23%，由于接觸麵積的增加，正嚮電壓降低瞭0.11V。
통과대GaN기발광이겁관적표면진행조화，가이개변출사광적방향，사나사만족전반사광개변방향후절사출래，종이제고료발광이겁관적출광효솔。실험결과표명，조화심편재20mA주입전류하，조화심편적광제취효솔제고료23%，유우접촉면적적증가，정향전압강저료0.11V。
