固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
1期
76-79,101
,共5页
高明超%刘钺杨%刘江%赵哿%金锐%于坤山
高明超%劉鉞楊%劉江%趙哿%金銳%于坤山
고명초%류월양%류강%조가%금예%우곤산
绝缘栅双极晶体管%终端%多级场板%击穿场强
絕緣柵雙極晶體管%終耑%多級場闆%擊穿場彊
절연책쌍겁정체관%종단%다급장판%격천장강
基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P-Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度；改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿电压值；在工艺过程中在淀积第四台阶氧化层之前先淀积一薄层SiOxNy薄膜作为腐蚀阻挡层,可降低对工艺精度的要求,同时提高器件可靠性；多级场板终端结构可以阻止器件表面电荷进入硅表面改变硅表面电势,提高器件的稳定性和可靠性.将此终端用在1 200 V NPT Planer IGBT结构上进行流片验证,击穿电压可达1 300 V以上.
基于現有工藝平檯設計一箇多級場闆終耑結構:在有源區最外圍元胞和場闆之間加一箇P-Ring環,可以降低第一級場闆邊緣下的電場彊度；改變第四級場闆氧化層厚度,可以調整IGBT擊穿電壓值；在工藝過程中在澱積第四檯階氧化層之前先澱積一薄層SiOxNy薄膜作為腐蝕阻擋層,可降低對工藝精度的要求,同時提高器件可靠性；多級場闆終耑結構可以阻止器件錶麵電荷進入硅錶麵改變硅錶麵電勢,提高器件的穩定性和可靠性.將此終耑用在1 200 V NPT Planer IGBT結構上進行流片驗證,擊穿電壓可達1 300 V以上.
기우현유공예평태설계일개다급장판종단결구:재유원구최외위원포화장판지간가일개P-Ring배,가이강저제일급장판변연하적전장강도；개변제사급장판양화층후도,가이조정IGBT격천전압치；재공예과정중재정적제사태계양화층지전선정적일박층SiOxNy박막작위부식조당층,가강저대공예정도적요구,동시제고기건가고성；다급장판종단결구가이조지기건표면전하진입규표면개변규표면전세,제고기건적은정성화가고성.장차종단용재1 200 V NPT Planer IGBT결구상진행류편험증,격천전압가체1 300 V이상.
