固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
1期
72-75,96
,共5页
王金%孔岑%周建军%倪金玉%陈堂胜%刘涛
王金%孔岑%週建軍%倪金玉%陳堂勝%劉濤
왕금%공잠%주건군%예금옥%진당성%류도
氮化镓高电子迁移率晶体管%外延层减薄%低温合金%欧姆接触
氮化鎵高電子遷移率晶體管%外延層減薄%低溫閤金%歐姆接觸
담화가고전자천이솔정체관%외연층감박%저온합금%구모접촉
研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径.研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性.采用Ti/Al (10/200 nm)金属,在外延层刻蚀深度为20 nm以及合金温度550C时,得到接近传统高温合金条件下的接触电阻,最小值达到0.76 Q·mm,同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌.该技术有望应用于高频、高功率GaN HEMT的工艺.
研究瞭在Si基GaN外延材料上實現低溫歐姆接觸的技術途徑.研究瞭外延層的刻蝕深度、閤金溫度以及不同金屬體繫對接觸特性的影響,髮現外延層刻蝕深度的優化可顯著改善歐姆接觸特性.採用Ti/Al (10/200 nm)金屬,在外延層刻蝕深度為20 nm以及閤金溫度550C時,得到接近傳統高溫閤金條件下的接觸電阻,最小值達到0.76 Q·mm,同時實現的歐姆接觸電極具有良好的形貌.該技術有望應用于高頻、高功率GaN HEMT的工藝.
연구료재Si기GaN외연재료상실현저온구모접촉적기술도경.연구료외연층적각식심도、합금온도이급불동금속체계대접촉특성적영향,발현외연층각식심도적우화가현저개선구모접촉특성.채용Ti/Al (10/200 nm)금속,재외연층각식심도위20 nm이급합금온도550C시,득도접근전통고온합금조건하적접촉전조,최소치체도0.76 Q·mm,동시실현적구모접촉전겁구유량호적형모.해기술유망응용우고빈、고공솔GaN HEMT적공예.
