固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
1期
68-71
,共4页
李赟%尹志军%朱志明%赵志飞%陆东赛
李赟%尹誌軍%硃誌明%趙誌飛%陸東賽
리빈%윤지군%주지명%조지비%륙동새
同质外延%衬底偏角%台阶形貌%肖特基二极管
同質外延%襯底偏角%檯階形貌%肖特基二極管
동질외연%츤저편각%태계형모%초특기이겁관
4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响.主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响.采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计,在4°偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiC SBD结构外延材料.利用优化工艺生长的4°偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600—1 700 V SBD器件的研制.
4°偏軸SiC襯底上生長的外延薄膜容易齣現檯階形貌,外延薄膜錶麵的檯階形貌對後續製作的器件性能有著一定的影響.主要研究瞭進氣耑C/Si比及生長前刻蝕工藝對4°偏軸襯底外延的影響.採用外延生長前的氫氣刻蝕工藝,結閤摻雜濃度緩變的緩遲層設計,在4°偏軸的SiC襯底上製得瞭錶麵無檯階形貌的SiC SBD結構外延材料.利用優化工藝生長的4°偏軸襯底上的SBD結構外延材料目前已經全麵應用于600—1 700 V SBD器件的研製.
4°편축SiC츤저상생장적외연박막용역출현태계형모,외연박막표면적태계형모대후속제작적기건성능유착일정적영향.주요연구료진기단C/Si비급생장전각식공예대4°편축츤저외연적영향.채용외연생장전적경기각식공예,결합참잡농도완변적완충층설계,재4°편축적SiC츤저상제득료표면무태계형모적SiC SBD결구외연재료.이용우화공예생장적4°편축츤저상적SBD결구외연재료목전이경전면응용우600—1 700 V SBD기건적연제.
