固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
1期
42-46
,共5页
跟踪保持电路%二极管桥%异质结双极晶体管
跟蹤保持電路%二極管橋%異質結雙極晶體管
근종보지전로%이겁관교%이질결쌍겁정체관
设计了一种基于二极管桥的两级全差分跟踪保持电路,两级模块由独立的时钟控制,可以各自工作在跟踪模式.芯片采用1 μm GaAs HBT工艺实现,芯片大小为1.8 mm×2 mm,功耗2.75W.经测试,电路可以工作在1 GS/s采样速率下,单端输入峰峰值250 mV信号时采样带宽超过7 GHz；单端输入峰峰值250 mV,DC-2 GHz信号时,电路具有8 bit有效位.
設計瞭一種基于二極管橋的兩級全差分跟蹤保持電路,兩級模塊由獨立的時鐘控製,可以各自工作在跟蹤模式.芯片採用1 μm GaAs HBT工藝實現,芯片大小為1.8 mm×2 mm,功耗2.75W.經測試,電路可以工作在1 GS/s採樣速率下,單耑輸入峰峰值250 mV信號時採樣帶寬超過7 GHz；單耑輸入峰峰值250 mV,DC-2 GHz信號時,電路具有8 bit有效位.
설계료일충기우이겁관교적량급전차분근종보지전로,량급모괴유독립적시종공제,가이각자공작재근종모식.심편채용1 μm GaAs HBT공예실현,심편대소위1.8 mm×2 mm,공모2.75W.경측시,전로가이공작재1 GS/s채양속솔하,단단수입봉봉치250 mV신호시채양대관초과7 GHz；단단수입봉봉치250 mV,DC-2 GHz신호시,전로구유8 bit유효위.
