固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
1期
37-41
,共5页
蒋东铭%陈新宇%杨立杰%黄子乾
蔣東銘%陳新宇%楊立傑%黃子乾
장동명%진신우%양립걸%황자건
毫米波%砷化镓%PIN二极管%单刀双掷开关%微波单片集成电路
毫米波%砷化鎵%PIN二極管%單刀雙擲開關%微波單片集成電路
호미파%신화가%PIN이겁관%단도쌍척개관%미파단편집성전로
采用76.2 mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片.采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性.在片测试表明,在30—36 GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34 dB.开关在导通态下输入功率0.5 dB压缩点P-0.5aB大于5W.
採用76.2 mm(3英吋)GaAs PIN二極管工藝設計和製作瞭大功率毫米波單刀雙擲開關單片.採用併聯結構的單刀雙擲開關以穫得較高的功率特性.在片測試錶明,在30—36 GHz工作頻段,開關導通支路插損1.0dB,駐波優于1.5,開關關斷耑口隔離度大于34 dB.開關在導通態下輸入功率0.5 dB壓縮點P-0.5aB大于5W.
채용76.2 mm(3영촌)GaAs PIN이겁관공예설계화제작료대공솔호미파단도쌍척개관단편.채용병련결구적단도쌍척개관이획득교고적공솔특성.재편측시표명,재30—36 GHz공작빈단,개관도통지로삽손1.0dB,주파우우1.5,개관관단단구격리도대우34 dB.개관재도통태하수입공솔0.5 dB압축점P-0.5aB대우5W.
