固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
1期
17-21
,共5页
李育强%刘璐%朱剑云%徐静平
李育彊%劉璐%硃劍雲%徐靜平
리육강%류로%주검운%서정평
金属-氧化物-氮化物-氧化物硅存储器%存储特性%氧化钆%氮氧化钆
金屬-氧化物-氮化物-氧化物硅存儲器%存儲特性%氧化釓%氮氧化釓
금속-양화물-담화물-양화물규존저기%존저특성%양화구%담양화구
采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响.实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd-Si键,导致界面态密度增加,因而存储特性欠佳；引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱,并能提高介电常数、减少界面缺陷,因此GdON样品表现出好的存储特性:较大的存储窗口(士13 V/1 s的编程/擦除电压下,存储窗口4.1V)、高的工作速度、好的保持特性以及优良的疲劳特性(105循环编程/擦除后,存储窗口几乎不变).
採用反應濺射法製備以GdOx或GdON為存儲層的MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)電容存儲器,研究瞭GdOx中氧含量以及摻氮對MONOS存儲器存儲特性的影響.實驗結果錶明,含氧氣氛中製備的GdO其氧空位(電荷陷阱)較少,且界麵處存在較多Gd-Si鍵,導緻界麵態密度增加,因而存儲特性欠佳；引入氮至GdO中可誘導齣大量的深能級電子陷阱,併能提高介電常數、減少界麵缺陷,因此GdON樣品錶現齣好的存儲特性:較大的存儲窗口(士13 V/1 s的編程/抆除電壓下,存儲窗口4.1V)、高的工作速度、好的保持特性以及優良的疲勞特性(105循環編程/抆除後,存儲窗口幾乎不變).
채용반응천사법제비이GdOx혹GdON위존저층적MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)전용존저기,연구료GdOx중양함량이급참담대MONOS존저기존저특성적영향.실험결과표명,함양기분중제비적GdO기양공위(전하함정)교소,차계면처존재교다Gd-Si건,도치계면태밀도증가,인이존저특성흠가；인입담지GdO중가유도출대량적심능급전자함정,병능제고개전상수、감소계면결함,인차GdON양품표현출호적존저특성:교대적존저창구(사13 V/1 s적편정/찰제전압하,존저창구4.1V)、고적공작속도、호적보지특성이급우량적피로특성(105순배편정/찰제후,존저창구궤호불변).
