固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
1期
6-10,41
,共6页
郭维廉%张世林%王伊钿%毛陆虹%谢生
郭維廉%張世林%王伊鈿%毛陸虹%謝生
곽유렴%장세림%왕이전%모륙홍%사생
共振隧穿二极管%电流-电压特性%电阻补偿效应%表观正阻%RL/共振隧穿二极管锁定单元%双稳态
共振隧穿二極管%電流-電壓特性%電阻補償效應%錶觀正阻%RL/共振隧穿二極管鎖定單元%雙穩態
공진수천이겁관%전류-전압특성%전조보상효응%표관정조%RL/공진수천이겁관쇄정단원%쌍은태
表观正阻是RTD I-V特性上峰值电压Vp大于谷值电压Vv的现象.以前的观念认为它来源于RTD和其负载电阻RL构成的锁定单元,但未阐明负载电阻产生的物理过程.对表观正阻现象产生的物理机制进行了更进一步的研究,发现了RTD串联电阻增大时形成RL/RTD锁定单元的物理过程,为建立APR的物理模型莫定了基础.
錶觀正阻是RTD I-V特性上峰值電壓Vp大于穀值電壓Vv的現象.以前的觀唸認為它來源于RTD和其負載電阻RL構成的鎖定單元,但未闡明負載電阻產生的物理過程.對錶觀正阻現象產生的物理機製進行瞭更進一步的研究,髮現瞭RTD串聯電阻增大時形成RL/RTD鎖定單元的物理過程,為建立APR的物理模型莫定瞭基礎.
표관정조시RTD I-V특성상봉치전압Vp대우곡치전압Vv적현상.이전적관념인위타래원우RTD화기부재전조RL구성적쇄정단원,단미천명부재전조산생적물리과정.대표관정조현상산생적물리궤제진행료경진일보적연구,발현료RTD천련전조증대시형성RL/RTD쇄정단원적물리과정,위건립APR적물리모형막정료기출.
