宿州学院学报
宿州學院學報
숙주학원학보
JOURNAL OF SUZHOU COLLEGE
2014年
4期
74-77
,共4页
韩名君%李长波%钱峰%陶玉贵
韓名君%李長波%錢峰%陶玉貴
한명군%리장파%전봉%도옥귀
MOSFET%亚阈值电流%二维电势模型%热电子电流
MOSFET%亞閾值電流%二維電勢模型%熱電子電流
MOSFET%아역치전류%이유전세모형%열전자전류
随着器件工艺的更新,亚阈值电流对MOSFET的亚阈值特性的影响越来越大,但是目前的计算均是基于一维或者准二维电势模型,计算量小但是误差大.基于二维电势模型,使用最小二乘法将二维电势解析式转化为二次抛物线方程,并用泰勒级数展开法计算得到二雏电势的指数函数积分.并且考虑在沟道超短的情况下,热电子发射电流已经无法忽略,因而考虑了热电子发射电流并联的影响,最终得到了适用于超短沟道的精确的亚阈值电流模型.通过将计算结果与Medici仿真结果对比,验证了该模型能够准确模拟超短沟道下的MOSFET在亚阈值区的电流.
隨著器件工藝的更新,亞閾值電流對MOSFET的亞閾值特性的影響越來越大,但是目前的計算均是基于一維或者準二維電勢模型,計算量小但是誤差大.基于二維電勢模型,使用最小二乘法將二維電勢解析式轉化為二次拋物線方程,併用泰勒級數展開法計算得到二雛電勢的指數函數積分.併且攷慮在溝道超短的情況下,熱電子髮射電流已經無法忽略,因而攷慮瞭熱電子髮射電流併聯的影響,最終得到瞭適用于超短溝道的精確的亞閾值電流模型.通過將計算結果與Medici倣真結果對比,驗證瞭該模型能夠準確模擬超短溝道下的MOSFET在亞閾值區的電流.
수착기건공예적경신,아역치전류대MOSFET적아역치특성적영향월래월대,단시목전적계산균시기우일유혹자준이유전세모형,계산량소단시오차대.기우이유전세모형,사용최소이승법장이유전세해석식전화위이차포물선방정,병용태륵급수전개법계산득도이추전세적지수함수적분.병차고필재구도초단적정황하,열전자발사전류이경무법홀략,인이고필료열전자발사전류병련적영향,최종득도료괄용우초단구도적정학적아역치전류모형.통과장계산결과여Medici방진결과대비,험증료해모형능구준학모의초단구도하적MOSFET재아역치구적전류.
