液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2014年
2期
219-223
,共5页
滕支刚%冷华星%张玲珑%钟传杰
滕支剛%冷華星%張玲瓏%鐘傳傑
등지강%랭화성%장령롱%종전걸
Tips-Pentacene%空间电荷限制电流%退火时间%溶剂残留
Tips-Pentacene%空間電荷限製電流%退火時間%溶劑殘留
Tips-Pentacene%공간전하한제전류%퇴화시간%용제잔류
Tips-Pentacene%space charge limited current%annealing time%solvent residues
通过测量p+Si/PEDOT:PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响.实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而在退火时间达到10 h后,低电压下斜率为2的区域消失.根据空间电荷限制电流模型,分析了不同区域的电流传输机理,并提取了陷阱密度和空穴的迁移率.在退火时间为10h时,材料有最低的陷阱密度5.70×1018/cm3和最大的空穴迁移率1.68×10-4 cm2/(V·s),其在低偏置下传输特征的改变表明与溶剂残留有关的单一能级陷阱极大减小.
通過測量p+Si/PEDOT:PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究瞭退火時間對溶液法製備Tips-PEN薄膜電流傳輸特性的影響.實驗結果錶明,在退火時間為2h和5h的條件下,隨偏置電壓的增加,雙對數J-V麯線存在斜率依次為2,大于3以及2的不同區域,而在退火時間達到10 h後,低電壓下斜率為2的區域消失.根據空間電荷限製電流模型,分析瞭不同區域的電流傳輸機理,併提取瞭陷阱密度和空穴的遷移率.在退火時間為10h時,材料有最低的陷阱密度5.70×1018/cm3和最大的空穴遷移率1.68×10-4 cm2/(V·s),其在低偏置下傳輸特徵的改變錶明與溶劑殘留有關的單一能級陷阱極大減小.
통과측량p+Si/PEDOT:PSS/Tips-PEN/Ag기건적J-V특성,연구료퇴화시간대용액법제비Tips-PEN박막전류전수특성적영향.실험결과표명,재퇴화시간위2h화5h적조건하,수편치전압적증가,쌍대수J-V곡선존재사솔의차위2,대우3이급2적불동구역,이재퇴화시간체도10 h후,저전압하사솔위2적구역소실.근거공간전하한제전류모형,분석료불동구역적전류전수궤리,병제취료함정밀도화공혈적천이솔.재퇴화시간위10h시,재료유최저적함정밀도5.70×1018/cm3화최대적공혈천이솔1.68×10-4 cm2/(V·s),기재저편치하전수특정적개변표명여용제잔류유관적단일능급함정겁대감소.
