南阳师范学院学报
南暘師範學院學報
남양사범학원학보
JOURNAL OF NANYANG TEACHERS COLLEGE
2013年
3期
14-18
,共5页
刘旭焱%王爱华%蒋华龙%濮春英%姚文华%崔本亮
劉旭焱%王愛華%蔣華龍%濮春英%姚文華%崔本亮
류욱염%왕애화%장화룡%복춘영%요문화%최본량
应变Si%Ge浓缩%应变弛豫
應變Si%Ge濃縮%應變弛豫
응변Si%Ge농축%응변이예
应变Si是一种能在未来保持Si CMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料.本文结合SOI技术,利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底,并使用超高真空化学气相沉积在较低温度下成功外延了厚度为25nm的应变Si单晶薄膜,扫描电子显微镜和原子力显微镜显示样品表面薄膜完整、平坦；高分辨透射电子显微镜和二次离子质谱表明:样品各层结构清晰、位错密度极低、界面陡直且元素分布均匀；紫外拉曼光谱证实了顶层Si中获得了1％的平面张应变,基于此的MOS器件有望获得比传统体Si大大提升的性能.
應變Si是一種能在未來保持Si CMOS技術的髮展繼續遵循摩爾定律的新材料.本文結閤SOI技術,利用改進型Ge濃縮技術製備瞭絕緣體上超薄的弛豫SiGe襯底,併使用超高真空化學氣相沉積在較低溫度下成功外延瞭厚度為25nm的應變Si單晶薄膜,掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡顯示樣品錶麵薄膜完整、平坦；高分辨透射電子顯微鏡和二次離子質譜錶明:樣品各層結構清晰、位錯密度極低、界麵陡直且元素分佈均勻；紫外拉曼光譜證實瞭頂層Si中穫得瞭1％的平麵張應變,基于此的MOS器件有望穫得比傳統體Si大大提升的性能.
응변Si시일충능재미래보지Si CMOS기술적발전계속준순마이정률적신재료.본문결합SOI기술,이용개진형Ge농축기술제비료절연체상초박적이예SiGe츤저,병사용초고진공화학기상침적재교저온도하성공외연료후도위25nm적응변Si단정박막,소묘전자현미경화원자력현미경현시양품표면박막완정、평탄；고분변투사전자현미경화이차리자질보표명:양품각층결구청석、위착밀도겁저、계면두직차원소분포균균；자외랍만광보증실료정층Si중획득료1％적평면장응변,기우차적MOS기건유망획득비전통체Si대대제승적성능.
