北京理工大学学报
北京理工大學學報
북경리공대학학보
JOURNAL OF BEIJING INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2013年
2期
190-194
,共5页
韩本光%曹琛%吴龙胜%刘佑宝
韓本光%曹琛%吳龍勝%劉祐寶
한본광%조침%오룡성%류우보
抗辐射设计加固%单粒子瞬态%辐射效应%偏置电路%线性能量传输(LET)
抗輻射設計加固%單粒子瞬態%輻射效應%偏置電路%線性能量傳輸(LET)
항복사설계가고%단입자순태%복사효응%편치전로%선성능량전수(LET)
通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路,设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路,该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力.为了证实其抗单粒子能力,基于SIMC 130 nm CMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种结构的偏置电路.仿真结果表明,对于提出的加固偏置电路,由单粒子引起的瞬态电压和电流的变化幅值分别减小了约80.6％和81.2％；同时增加的单粒子瞬态抑制电路在正常工作状态下不消耗额外功耗,且所占用的芯片面积小,也没有引入额外的单粒子敏感结点.
通過增加一箇NMOP、PMOS和一箇電阻組成的單粒子瞬態抑製電路,設計瞭一種新的抗單粒子瞬態加固的偏置電路,該偏置電路具有較高抗單粒子瞬態能力.為瞭證實其抗單粒子能力,基于SIMC 130 nm CMOS工藝設計瞭傳統的及提齣的抗單粒子瞬態兩種結構的偏置電路.倣真結果錶明,對于提齣的加固偏置電路,由單粒子引起的瞬態電壓和電流的變化幅值分彆減小瞭約80.6％和81.2％；同時增加的單粒子瞬態抑製電路在正常工作狀態下不消耗額外功耗,且所佔用的芯片麵積小,也沒有引入額外的單粒子敏感結點.
통과증가일개NMOP、PMOS화일개전조조성적단입자순태억제전로,설계료일충신적항단입자순태가고적편치전로,해편치전로구유교고항단입자순태능력.위료증실기항단입자능력,기우SIMC 130 nm CMOS공예설계료전통적급제출적항단입자순태량충결구적편치전로.방진결과표명,대우제출적가고편치전로,유단입자인기적순태전압화전류적변화폭치분별감소료약80.6％화81.2％；동시증가적단입자순태억제전로재정상공작상태하불소모액외공모,차소점용적심편면적소,야몰유인입액외적단입자민감결점.
