传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2013年
1期
1-6
,共6页
曾毅波%刘畅%陈观生%赵祖光%郭航
曾毅波%劉暢%陳觀生%趙祖光%郭航
증의파%류창%진관생%조조광%곽항
微机电系统MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)%石英薄膜%研磨%CMP
微機電繫統MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)%石英薄膜%研磨%CMP
미궤전계통MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)%석영박막%연마%CMP
石英薄膜的质量是决定各种石英基底的微纳器件品质高低的关键所在.阐述如何运用研磨和化学机械抛光CMP(Chemical&Mechanical Polishing)技术获得高品质石英薄膜的方法.由于石英属于高硬度材料,选用金刚石研磨液和球墨铸铁研磨盘对石英衬底进行研磨,以获得较高的研磨速率和较好的研磨后的表面粗糙度.在石英CMP中,采用特殊的“两步抛“工艺,对衬底进行抛光.第一步粗抛抛光液采用金刚石颗粒直径为0.3 μm的研磨液与SiO2颗粒直径为50 nm的抛光液相混合,第二步精抛只采用SiO2的抛光液.实验结果表明,采用上述技术,可以获得高品质的石英薄膜,厚度为(25.1±3.2)μm,表面粗糙度约为0.89 nm(RMS).
石英薄膜的質量是決定各種石英基底的微納器件品質高低的關鍵所在.闡述如何運用研磨和化學機械拋光CMP(Chemical&Mechanical Polishing)技術穫得高品質石英薄膜的方法.由于石英屬于高硬度材料,選用金剛石研磨液和毬墨鑄鐵研磨盤對石英襯底進行研磨,以穫得較高的研磨速率和較好的研磨後的錶麵粗糙度.在石英CMP中,採用特殊的“兩步拋“工藝,對襯底進行拋光.第一步粗拋拋光液採用金剛石顆粒直徑為0.3 μm的研磨液與SiO2顆粒直徑為50 nm的拋光液相混閤,第二步精拋隻採用SiO2的拋光液.實驗結果錶明,採用上述技術,可以穫得高品質的石英薄膜,厚度為(25.1±3.2)μm,錶麵粗糙度約為0.89 nm(RMS).
석영박막적질량시결정각충석영기저적미납기건품질고저적관건소재.천술여하운용연마화화학궤계포광CMP(Chemical&Mechanical Polishing)기술획득고품질석영박막적방법.유우석영속우고경도재료,선용금강석연마액화구묵주철연마반대석영츤저진행연마,이획득교고적연마속솔화교호적연마후적표면조조도.재석영CMP중,채용특수적“량보포“공예,대츤저진행포광.제일보조포포광액채용금강석과립직경위0.3 μm적연마액여SiO2과립직경위50 nm적포광액상혼합,제이보정포지채용SiO2적포광액.실험결과표명,채용상술기술,가이획득고품질적석영박막,후도위(25.1±3.2)μm,표면조조도약위0.89 nm(RMS).
