传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2013年
9期
53-57
,共5页
曹鸿霞%张仙玲%刘清惓%王友保
曹鴻霞%張仙玲%劉清惓%王友保
조홍하%장선령%류청권%왕우보
磁电效应%层状复合物%镍铁氧体%锆钛酸铅陶瓷
磁電效應%層狀複閤物%鎳鐵氧體%鋯鈦痠鉛陶瓷
자전효응%층상복합물%얼철양체%고태산연도자
magnetoelectric effect%layered composite%NFO%PZT
利用弹性力学模型,简要推导了低频下磁致伸缩-压电双层复合材料磁电电压系数的表达式,计算了镍铁氧体-锆钛酸铅(NiFe2O4-Pb(Zr,Ti)O3,NFO-PZT)层状复合材料的横向磁电耦合.采用溶胶-凝胶法制备NiFe2O4样品,将其与PZT胶合制成NFO-PZT和NFO-PZT-NFO层状复合材料,研究了其在低频下的横向磁电效应.在约31.8 kA·m-1的偏置磁场下,NFO-PZT-NFO的横向磁电耦合达到的峰值为761.8 mV·A-1,约是NFO-PZT的3倍多.三层的界面耦合参数明显高于双层.
利用彈性力學模型,簡要推導瞭低頻下磁緻伸縮-壓電雙層複閤材料磁電電壓繫數的錶達式,計算瞭鎳鐵氧體-鋯鈦痠鉛(NiFe2O4-Pb(Zr,Ti)O3,NFO-PZT)層狀複閤材料的橫嚮磁電耦閤.採用溶膠-凝膠法製備NiFe2O4樣品,將其與PZT膠閤製成NFO-PZT和NFO-PZT-NFO層狀複閤材料,研究瞭其在低頻下的橫嚮磁電效應.在約31.8 kA·m-1的偏置磁場下,NFO-PZT-NFO的橫嚮磁電耦閤達到的峰值為761.8 mV·A-1,約是NFO-PZT的3倍多.三層的界麵耦閤參數明顯高于雙層.
이용탄성역학모형,간요추도료저빈하자치신축-압전쌍층복합재료자전전압계수적표체식,계산료얼철양체-고태산연(NiFe2O4-Pb(Zr,Ti)O3,NFO-PZT)층상복합재료적횡향자전우합.채용용효-응효법제비NiFe2O4양품,장기여PZT효합제성NFO-PZT화NFO-PZT-NFO층상복합재료,연구료기재저빈하적횡향자전효응.재약31.8 kA·m-1적편치자장하,NFO-PZT-NFO적횡향자전우합체도적봉치위761.8 mV·A-1,약시NFO-PZT적3배다.삼층적계면우합삼수명현고우쌍층.
