现代技术陶瓷
現代技術陶瓷
현대기술도자
ADVANCED CERAMICS
2012年
3期
54-56
,共3页
唐斌%陈加旺%李强%岑权进%陈加增
唐斌%陳加旺%李彊%岑權進%陳加增
당빈%진가왕%리강%잠권진%진가증
ZnO低压压敏陶瓷%Bi2O3,TiO2,SnO2掺杂%电性能%压敏场强
ZnO低壓壓敏陶瓷%Bi2O3,TiO2,SnO2摻雜%電性能%壓敏場彊
ZnO저압압민도자%Bi2O3,TiO2,SnO2참잡%전성능%압민장강
low voltage ZnO varistor%BieOa,Ti02,Sn()e doping%electrical properties%voltagegradient
通过采用独特的Zn-BiTi—Sn配方体系，并运用高温（800℃）烧银技术，可实现压敏电压低压化，并能很好解决低压极性问题。制得的产品其压敏场强约20V／mm左右，电压极性为1V以下，非线性系数大30以上，泄漏电流5μA以下，限制电压比约1．5（2．5A），芯片Φ10mm产品经1300A雷电流（8／20μS）冲击，压敏电压变化率为3％左右，产品已实现产业化。
通過採用獨特的Zn-BiTi—Sn配方體繫，併運用高溫（800℃）燒銀技術，可實現壓敏電壓低壓化，併能很好解決低壓極性問題。製得的產品其壓敏場彊約20V／mm左右，電壓極性為1V以下，非線性繫數大30以上，洩漏電流5μA以下，限製電壓比約1．5（2．5A），芯片Φ10mm產品經1300A雷電流（8／20μS）遲擊，壓敏電壓變化率為3％左右，產品已實現產業化。
통과채용독특적Zn-BiTi—Sn배방체계，병운용고온（800℃）소은기술，가실현압민전압저압화，병능흔호해결저압겁성문제。제득적산품기압민장강약20V／mm좌우，전압겁성위1V이하，비선성계수대30이상，설루전류5μA이하，한제전압비약1．5（2．5A），심편Φ10mm산품경1300A뇌전류（8／20μS）충격，압민전압변화솔위3％좌우，산품이실현산업화。
The low voltage and voltage polarity problems were solved by using a unique Zn-Bi- Ti - Sn formula system and firing silver technology of 850℃. Obtained products have following advanta- ges:voltage gradient (20V/mm), voltage polarity(〈1V), nonlinear coefficent (〉30), leakage current (〈5μA),clamp voltage ratio(1.5,2.5A). The devices of Φ10mm chip have a peak lightning current (1300A,8/20μS), the varistor voltage change ratio(-3%). The products were achieved industrialization.
