中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2014年
4期
55-58,76
,共5页
张运娟%张胡军%何文海%高睿
張運娟%張鬍軍%何文海%高睿
장운연%장호군%하문해%고예
铜框架%表面氧化%氧化膜厚度
銅框架%錶麵氧化%氧化膜厚度
동광가%표면양화%양화막후도
在集成电路封装过程中,表面氧化是制约铜框架大批量应用于生产的主要原因,而框架表面氧化程度的测量和管控是铜框架应用于封装的关键点.本文运用金属氧化理论阐述了铜框架表面氧化过程及机理;进行铜框架烘烤氧化实验后测量框架表面的氧化膜厚度,通过对测量数据拟合得到铜框架氧化膜生长曲线,从而可以预测铜框架在封装过程中的氧化程度,为集成电路封装工艺的设计和管控提供依据.
在集成電路封裝過程中,錶麵氧化是製約銅框架大批量應用于生產的主要原因,而框架錶麵氧化程度的測量和管控是銅框架應用于封裝的關鍵點.本文運用金屬氧化理論闡述瞭銅框架錶麵氧化過程及機理;進行銅框架烘烤氧化實驗後測量框架錶麵的氧化膜厚度,通過對測量數據擬閤得到銅框架氧化膜生長麯線,從而可以預測銅框架在封裝過程中的氧化程度,為集成電路封裝工藝的設計和管控提供依據.
재집성전로봉장과정중,표면양화시제약동광가대비량응용우생산적주요원인,이광가표면양화정도적측량화관공시동광가응용우봉장적관건점.본문운용금속양화이론천술료동광가표면양화과정급궤리;진행동광가홍고양화실험후측량광가표면적양화막후도,통과대측량수거의합득도동광가양화막생장곡선,종이가이예측동광가재봉장과정중적양화정도,위집성전로봉장공예적설계화관공제공의거.
