应用化工
應用化工
응용화공
APPLIED CHEMICAL INDUSTRY
2013年
12期
2194-2197
,共4页
刘深娜%杨阳%陈棽%林珩%陈国良
劉深娜%楊暘%陳棽%林珩%陳國良
류심나%양양%진림%림형%진국량
脒基硫脲%铜%电沉积%电化学石英晶体微天平
脒基硫脲%銅%電沉積%電化學石英晶體微天平
미기류뇨%동%전침적%전화학석영정체미천평
guanyl thiourea%copper%electrodeposition%electrochemical quartz crystal microbalance
研究添加剂对电沉积的作用机理及添加剂用量对镀层结构的影响,有利于开发一种更好效果的添加剂.为了获得良好的镀层,硫脲及其衍生物作为添加剂已经广泛应用于电镀工业中,脒基硫脲(GTU)作为电镀添加剂,采用循环伏安法(CV)和电化学石英晶体微天平(EQCM)技术,考察GTU在酸性溶液中对铜沉积机理的影响.CV 结果表明,脒基硫脲对铜电沉积有抑制作用;QCM分析表明,当镀液中含有GTU时,铜阴极沉积和阳极溶出过程的M/n分别为61.50,64.12 g/mol,表明电极反应过程中,Pt/Cu电极表面的铜离子沉积从二电子过程过渡到单电子过程,添加剂的最佳浓度为10 mmol/L.
研究添加劑對電沉積的作用機理及添加劑用量對鍍層結構的影響,有利于開髮一種更好效果的添加劑.為瞭穫得良好的鍍層,硫脲及其衍生物作為添加劑已經廣汎應用于電鍍工業中,脒基硫脲(GTU)作為電鍍添加劑,採用循環伏安法(CV)和電化學石英晶體微天平(EQCM)技術,攷察GTU在痠性溶液中對銅沉積機理的影響.CV 結果錶明,脒基硫脲對銅電沉積有抑製作用;QCM分析錶明,噹鍍液中含有GTU時,銅陰極沉積和暘極溶齣過程的M/n分彆為61.50,64.12 g/mol,錶明電極反應過程中,Pt/Cu電極錶麵的銅離子沉積從二電子過程過渡到單電子過程,添加劑的最佳濃度為10 mmol/L.
연구첨가제대전침적적작용궤리급첨가제용량대도층결구적영향,유리우개발일충경호효과적첨가제.위료획득량호적도층,류뇨급기연생물작위첨가제이경엄범응용우전도공업중,미기류뇨(GTU)작위전도첨가제,채용순배복안법(CV)화전화학석영정체미천평(EQCM)기술,고찰GTU재산성용액중대동침적궤리적영향.CV 결과표명,미기류뇨대동전침적유억제작용;QCM분석표명,당도액중함유GTU시,동음겁침적화양겁용출과정적M/n분별위61.50,64.12 g/mol,표명전겁반응과정중,Pt/Cu전겁표면적동리자침적종이전자과정과도도단전자과정,첨가제적최가농도위10 mmol/L.
