北方工业大学学报
北方工業大學學報
북방공업대학학보
JOURNAL OF NORTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2014年
1期
44-48,94
,共6页
氧化锌薄膜%择优取向%射频溅射%光学性能
氧化鋅薄膜%擇優取嚮%射頻濺射%光學性能
양화자박막%택우취향%사빈천사%광학성능
运用射频溅射法在Si和LaNiO3/Si衬底上分别制备了高度(002)和(110)取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征,发现ZnO/LaNiO3/Si薄膜的(110)取向度高达96％,ZnO/Si薄膜为(002)择优取向,两种薄膜表面均致密平整,晶粒尺寸小于80nm.光致发光结果表明,ZnO/LaNiO3/Si薄膜的光致发光峰主要为带边发射的紫外光,而ZnO/Si薄膜的光致发光峰主要为过量氧导致的缺陷引起的缺陷发光峰.因此,采用LaNiO3薄膜作为ZnO在Si衬底上生长的过渡层,能够有效抑制缺陷发光,改善ZnO薄膜的发光性能.
運用射頻濺射法在Si和LaNiO3/Si襯底上分彆製備瞭高度(002)和(110)取嚮的ZnO薄膜.通過X射線衍射(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)錶徵,髮現ZnO/LaNiO3/Si薄膜的(110)取嚮度高達96％,ZnO/Si薄膜為(002)擇優取嚮,兩種薄膜錶麵均緻密平整,晶粒呎吋小于80nm.光緻髮光結果錶明,ZnO/LaNiO3/Si薄膜的光緻髮光峰主要為帶邊髮射的紫外光,而ZnO/Si薄膜的光緻髮光峰主要為過量氧導緻的缺陷引起的缺陷髮光峰.因此,採用LaNiO3薄膜作為ZnO在Si襯底上生長的過渡層,能夠有效抑製缺陷髮光,改善ZnO薄膜的髮光性能.
운용사빈천사법재Si화LaNiO3/Si츤저상분별제비료고도(002)화(110)취향적ZnO박막.통과X사선연사(XRD)화소묘전자현미경(SEM)표정,발현ZnO/LaNiO3/Si박막적(110)취향도고체96％,ZnO/Si박막위(002)택우취향,량충박막표면균치밀평정,정립척촌소우80nm.광치발광결과표명,ZnO/LaNiO3/Si박막적광치발광봉주요위대변발사적자외광,이ZnO/Si박막적광치발광봉주요위과량양도치적결함인기적결함발광봉.인차,채용LaNiO3박막작위ZnO재Si츤저상생장적과도층,능구유효억제결함발광,개선ZnO박막적발광성능.
