工程与试验
工程與試驗
공정여시험
ENGINEERING & TEST
2013年
1期
27-29
,共3页
孙媛媛%李政%钟咏兵%赵立国
孫媛媛%李政%鐘詠兵%趙立國
손원원%리정%종영병%조입국
MOCVD%GaN薄膜%制备
MOCVD%GaN薄膜%製備
MOCVD%GaN박막%제비
介绍了使用本实验室自制的MOCVD设备,以蓝宝石材料作为衬底,按照MOCVD方法设计的GaN薄膜制备试验.衬底入炉后先在1150℃的H2气氛下烘烤20min,然后降温至540℃、550℃、560℃、570℃和580℃生长20nm厚的GaN缓冲层,再升温至1100℃生长GaN外延,外延的厚度约为3μm.缓冲层生长温度为570℃时,样品外延的生长质量最好.
介紹瞭使用本實驗室自製的MOCVD設備,以藍寶石材料作為襯底,按照MOCVD方法設計的GaN薄膜製備試驗.襯底入爐後先在1150℃的H2氣氛下烘烤20min,然後降溫至540℃、550℃、560℃、570℃和580℃生長20nm厚的GaN緩遲層,再升溫至1100℃生長GaN外延,外延的厚度約為3μm.緩遲層生長溫度為570℃時,樣品外延的生長質量最好.
개소료사용본실험실자제적MOCVD설비,이람보석재료작위츤저,안조MOCVD방법설계적GaN박막제비시험.츤저입로후선재1150℃적H2기분하홍고20min,연후강온지540℃、550℃、560℃、570℃화580℃생장20nm후적GaN완충층,재승온지1100℃생장GaN외연,외연적후도약위3μm.완충층생장온도위570℃시,양품외연적생장질량최호.
