西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2013年
2期
148-152,200
,共6页
杜永乾%庄奕琪%李小明%景鑫%戴力
杜永乾%莊奕琪%李小明%景鑫%戴力
두영건%장혁기%리소명%경흠%대력
超高频射频识别%低压%低功耗%亚阈值%带隙基准
超高頻射頻識彆%低壓%低功耗%亞閾值%帶隙基準
초고빈사빈식별%저압%저공모%아역치%대극기준
设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路,其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生,正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生.该基准电路采用TSMC 0.18μm工艺库仿真并投片验证,基准电压的绝对值偏差最大不超过1.75％.测试结果表明,该电路功耗仅为0.65 μW,最低工作电压为0.829V,温度系数为±63×10-6/℃,芯片有效面积为0.04 mm2.该基准电路已成功应用于一款无源超高频射频识别芯片中,其读取灵敏度为-16 dBm.
設計瞭一種適用于無源超高頻射頻識彆芯片的電流模帶隙基準電路,其中負溫度繫數電流利用BJT管的基射極電壓的負溫度特性產生,正溫度繫數電流利用偏置在亞閾值區的MOS器件其漏源電流與柵源電壓呈指數關繫的特性產生.該基準電路採用TSMC 0.18μm工藝庫倣真併投片驗證,基準電壓的絕對值偏差最大不超過1.75％.測試結果錶明,該電路功耗僅為0.65 μW,最低工作電壓為0.829V,溫度繫數為±63×10-6/℃,芯片有效麵積為0.04 mm2.該基準電路已成功應用于一款無源超高頻射頻識彆芯片中,其讀取靈敏度為-16 dBm.
설계료일충괄용우무원초고빈사빈식별심편적전류모대극기준전로,기중부온도계수전류이용BJT관적기사겁전압적부온도특성산생,정온도계수전류이용편치재아역치구적MOS기건기루원전류여책원전압정지수관계적특성산생.해기준전로채용TSMC 0.18μm공예고방진병투편험증,기준전압적절대치편차최대불초과1.75％.측시결과표명,해전로공모부위0.65 μW,최저공작전압위0.829V,온도계수위±63×10-6/℃,심편유효면적위0.04 mm2.해기준전로이성공응용우일관무원초고빈사빈식별심편중,기독취령민도위-16 dBm.
