强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2013年
5期
1215-1220
,共6页
董烨%董志伟%周前红%杨温渊%周海京
董燁%董誌偉%週前紅%楊溫淵%週海京
동엽%동지위%주전홍%양온연%주해경
高功率微波%介质沿面闪络击穿%二次电子倍增%蒙特卡罗碰撞%粒子模拟
高功率微波%介質沿麵閃絡擊穿%二次電子倍增%矇特卡囉踫撞%粒子模擬
고공솔미파%개질연면섬락격천%이차전자배증%몽특잡라팽당%입자모의
为研究高功率微波及材料特性参数对介质沿面闪络击穿过程的影响,采用自编的1D3V PICMCC程序,通过粒子模拟手段,得到了电子与离子数目、电子及离子密度分布、空间电荷场时空分布、电子平均能量、放电功率、表面沉积功率、激发电离损耗功率、电离频率等重要物理量.结果表明:电离频率随场强增加而增加,达到饱和后缓慢下降,强场诱发的二次电子数目更多导致本底沉积功率增高;电离频率随频率减小而增加,达到饱和后缓慢下降,频率太高会抑制次级电子倍增;因此,低频强场下击穿压力较大;反射引发表面电场下降及磁场增加效应,降低表面场强虽使表面击穿压力下降,但磁场的增加会导致二次电子倍增起振时间缩短,且会增加器件内部击穿风险;圆极化相对线极化诱导二次电子数目更多、本底沉积功率更高,击穿风险增加;短脉冲产生电子、离子总数少,平均能量低,沉积功率低,击穿风险低于长脉冲;脉冲上升时间的缩短和延长,只会提前或推后击穿时间,并不会改善击穿压力;材料二次电子发射率的增加会给击穿造成巨大压力,表面光滑度对击穿过程影响不大;电离频率和电子平均能量随释气压强增加均先增加后减小,低气压二次电子倍增占优,高气压碰撞电离占优.
為研究高功率微波及材料特性參數對介質沿麵閃絡擊穿過程的影響,採用自編的1D3V PICMCC程序,通過粒子模擬手段,得到瞭電子與離子數目、電子及離子密度分佈、空間電荷場時空分佈、電子平均能量、放電功率、錶麵沉積功率、激髮電離損耗功率、電離頻率等重要物理量.結果錶明:電離頻率隨場彊增加而增加,達到飽和後緩慢下降,彊場誘髮的二次電子數目更多導緻本底沉積功率增高;電離頻率隨頻率減小而增加,達到飽和後緩慢下降,頻率太高會抑製次級電子倍增;因此,低頻彊場下擊穿壓力較大;反射引髮錶麵電場下降及磁場增加效應,降低錶麵場彊雖使錶麵擊穿壓力下降,但磁場的增加會導緻二次電子倍增起振時間縮短,且會增加器件內部擊穿風險;圓極化相對線極化誘導二次電子數目更多、本底沉積功率更高,擊穿風險增加;短脈遲產生電子、離子總數少,平均能量低,沉積功率低,擊穿風險低于長脈遲;脈遲上升時間的縮短和延長,隻會提前或推後擊穿時間,併不會改善擊穿壓力;材料二次電子髮射率的增加會給擊穿造成巨大壓力,錶麵光滑度對擊穿過程影響不大;電離頻率和電子平均能量隨釋氣壓彊增加均先增加後減小,低氣壓二次電子倍增佔優,高氣壓踫撞電離佔優.
위연구고공솔미파급재료특성삼수대개질연면섬락격천과정적영향,채용자편적1D3V PICMCC정서,통과입자모의수단,득도료전자여리자수목、전자급리자밀도분포、공간전하장시공분포、전자평균능량、방전공솔、표면침적공솔、격발전리손모공솔、전리빈솔등중요물리량.결과표명:전리빈솔수장강증가이증가,체도포화후완만하강,강장유발적이차전자수목경다도치본저침적공솔증고;전리빈솔수빈솔감소이증가,체도포화후완만하강,빈솔태고회억제차급전자배증;인차,저빈강장하격천압력교대;반사인발표면전장하강급자장증가효응,강저표면장강수사표면격천압력하강,단자장적증가회도치이차전자배증기진시간축단,차회증가기건내부격천풍험;원겁화상대선겁화유도이차전자수목경다、본저침적공솔경고,격천풍험증가;단맥충산생전자、리자총수소,평균능량저,침적공솔저,격천풍험저우장맥충;맥충상승시간적축단화연장,지회제전혹추후격천시간,병불회개선격천압력;재료이차전자발사솔적증가회급격천조성거대압력,표면광활도대격천과정영향불대;전리빈솔화전자평균능량수석기압강증가균선증가후감소,저기압이차전자배증점우,고기압팽당전리점우.