强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2013年
5期
1200-1204
,共5页
微波脉冲%CMOS反相器%闩锁效应%脉冲宽度
微波脈遲%CMOS反相器%閂鎖效應%脈遲寬度
미파맥충%CMOS반상기%산쇄효응%맥충관도
从基本半导体物理出发,通过求解载流子连续性方程,建立了能够定量描述引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值与脉冲宽度关系的解析理论模型.通过与仿真结果以及文献中实验数据的对比,验证了该理论模型的正确性.该理论模型表明,引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值首先随着脉冲宽度增加逐渐降低,但是存在一个明显拐点区域,当脉冲宽度超过该区域之后,引起闩锁效应的功率阈值变化不甚明显.
從基本半導體物理齣髮,通過求解載流子連續性方程,建立瞭能夠定量描述引起CMOS反相器內部瞬態閂鎖效應的微波脈遲功率閾值與脈遲寬度關繫的解析理論模型.通過與倣真結果以及文獻中實驗數據的對比,驗證瞭該理論模型的正確性.該理論模型錶明,引起CMOS反相器內部瞬態閂鎖效應的微波脈遲功率閾值首先隨著脈遲寬度增加逐漸降低,但是存在一箇明顯枴點區域,噹脈遲寬度超過該區域之後,引起閂鎖效應的功率閾值變化不甚明顯.
종기본반도체물리출발,통과구해재류자련속성방정,건립료능구정량묘술인기CMOS반상기내부순태산쇄효응적미파맥충공솔역치여맥충관도관계적해석이론모형.통과여방진결과이급문헌중실험수거적대비,험증료해이론모형적정학성.해이론모형표명,인기CMOS반상기내부순태산쇄효응적미파맥충공솔역치수선수착맥충관도증가축점강저,단시존재일개명현괴점구역,당맥충관도초과해구역지후,인기산쇄효응적공솔역치변화불심명현.
